[發明專利]在納米孔表面制備納米間隙電極的方法無效
| 申請號： | 201110285323.6 | 申請日： | 2011-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN102384934A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發明（設計）人： | 吳宏文;劉麗萍;謝驍;葉曉峰;趙志亮;陸祖宏;劉全俊;易紅 | 申請（專利權）人： | 東南大學 |
| 主分類號： | G01N27/327 | 分類號： | G01N27/327;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 周靜 |
| 地址： | 211189 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 表面 制備 間隙 電極 方法 | ||
1.一種在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，
(1)在基材表面相對的兩條金屬線的端面上分別修飾核苷酸片段A和核苷酸片段B；
(2)引入兩端分別與核苷酸片段A和核苷酸片段B互補的雙鏈DNA，使雙鏈DNA和兩金屬線上的核苷酸片段A和核苷酸片段B結合后，以非折疊狀態連接在兩金屬線之間；
(3)在雙鏈DNA骨架上沉積、聚集Ag+，然后使聚集的Ag+還原成Ag納米線；
(4)將Ag納米線刻蝕穿，并將基材刻蝕形成貫穿的納米孔，從而形成表面具有納米間隙電極的納米孔。
2.如權利要求1所述的在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，所述基材表面相對的兩條金屬線相距5μm-16μm。
3.如權利要求2所述的在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，所述核苷酸片段A和核苷酸片段B長12bp-40bp，DNA分子長15kb-48kb。
4.如權利要求1-3中任一項所述的在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，所述金屬線為Au，核苷酸片段A和B的3’端修飾-SH后分別連接到兩金屬線的端面上，或者核苷酸片段A和B的5’端修飾-SH后分別連接到兩金屬線的端面上。
5.如權利要求4所述的在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，在一條金屬線表面覆蓋一層銅，使修飾-SH后的核苷酸片段A選擇性結合到Au線端面；然后去掉前述金屬線表面的銅，露出Au，再使修飾-SH后的核苷酸片段B結合到去掉銅后暴露出來的Au線端面。
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