[發(fā)明專利]一種基于全低溫工藝的柔性透明1T1R的制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110285132.X | 申請(qǐng)日： | 2011-09-23 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102332430A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫清清;房潤(rùn)辰;楊雯;王鵬飛;張衛(wèi) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L21/77 | 分類號(hào)： | H01L21/77;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陸飛;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 低溫 工藝 柔性 透明 t1r 制造 方法 | ||
1.一種柔性透明1T1R存儲(chǔ)單元的制造方法，其特征在于具體步驟包括：
提供一個(gè)柔性襯底；
在所述柔性襯底上形成柵電極；
覆蓋所述柵電極形成柵氧化層；
在所述柵氧化層上形成透明氧化物溝道；
在所述氧化物溝道兩側(cè)形成源、漏電極；
在所述漏電極上形成氧化物阻變存儲(chǔ)層；
在所述氧化物阻變存儲(chǔ)層上形成頂電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性透明1T1R存儲(chǔ)單元的制造方法，其特征在于，所述的柔性襯底由聚乙烯對(duì)苯二酸脂、聚酰亞胺或者金屬及陶瓷材料形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性透明1T1R存儲(chǔ)單元的制造方法，其特征在于，所述的柵電極由錫摻雜的氧化銦形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性透明1T1R存儲(chǔ)單元的制造方法，其特征在于，所述的柵氧化層由二氧化硅、氮化硅或者其它高介電常數(shù)材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性透明1T1R存儲(chǔ)單元的制造方法，其特征在于，所述的透明氧化物溝道由ZnO或ZnInSnO材料形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性透明1T1R存儲(chǔ)單元的制造方法，其特征在于，所述的源、漏電極由ITO，或者摻雜Al、In的ZnO材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性透明1T1R存儲(chǔ)單元的制造方法，其特征在于，所述的氧化物阻變存儲(chǔ)層由TiO2、ZrO2、SrTiO3或Al2O3材料形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柔性透明1T1R存儲(chǔ)單元的制造方法，其特征在于，所述的頂電極由ITO，或者摻雜Al、In的ZnO材料構(gòu)成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
