[發明專利]一種提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法

有效

• 申請號: 201110285100.X
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102446808A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 張亮;毛智彪;胡友存
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/311
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：于基底上依次淀積襯墊層、硬掩膜層和第一介質抗反射層后，淀積第一底部抗反射層覆蓋第一介質抗反射層并于其上旋涂光刻膠，曝光不合格；

步驟S2：灰化、清洗去除光刻膠及第一底部抗反射層，使得第一介質抗反射層性能發生改變，形成變性介質抗反射層；

步驟S3：采用高選擇比刻蝕去除變性介質抗反射層，且不影響硬掩膜層；

步驟S4：淀積第二介質抗反射層覆蓋硬掩膜層，并于其上進行光刻工藝。

2.根據權利要求1所述的提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法，其特征在于，步驟S3中采用高選擇比刻蝕工藝為濕法刻蝕工藝或等離子干法刻蝕工藝。

3.根據權利要求2所述的提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法，其特征在于，濕法刻蝕溶液采用氫氟酸或緩沖氧化硅刻蝕液。

4.根據權利要求2所述的提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法，其特征在于，采用等離子干法刻蝕時，通過調節反應氣體、功率、壓力和終點檢測實現高選擇比去除變性介質抗反射層。

5.根據權利要求1所述的提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法，其特征在于，步驟S4中采用和制備第一介質抗反射層相同的材質和工藝流程淀積第二介質抗反射層覆蓋硬掩膜層，第二介質抗反射層的性質和第一介質抗反射層的性質相同。

6.根據權利要求1所述的提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法，其特征在于，基底的材質為單晶硅、鍺或化學元素周期表中III-V族材料。

7.根據權利要求1所述的提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法，其特征在于，硬掩膜層的材質為氮化硅。

8.根據權利要求1所述的提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法，其特征在于，第一、二介質抗反射層和襯墊層的材質均為氧化硅。

9.根據權利要求1或8所述的提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積、爐管生長或原子層沉積工藝制備第一、二介質抗反射層。

10.根據權利要求1所述的提高淺溝隔離多次曝光穩定性的方法，其特征在于，硬掩膜層與第一、二介質抗反射層的材質為匹配的高選擇比刻蝕材料。