[發明專利]一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝

無效

• 申請號: 201110285091.4
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102446825A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 毛智彪;胡友存;戴韞青;王劍
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，其工藝步驟如下：

1）沉積低k值介質層；

2）在沉積的低k值介質層上形成硬掩模層；

3）對硬掩模層進行光刻和刻蝕；

4）進行導線金屬和冗余金屬的填充，完成金屬層沉積；

5）對金屬層進行化學機械研磨；

6）繼續化學機械研磨低k值介質層和金屬混合層，進一步去除冗余金屬。

2.如權利要求1所述的一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，所述的硬掩模層的材質為碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、鈦、氮化鈦、氧化鈦、鉭、氮化鉭、氧化鉭。

3.如權利要求1所述的一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，所述的硬掩模層的厚度范圍在1納米至1000納米之間。

4.如權利要求1所述的一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，在步驟（3）中對硬掩模層進行光刻和刻蝕時去除非冗余金屬區域的硬掩模層，再通過光刻和刻蝕形成金屬導線槽和冗余金屬槽。

5.如權利要求4所述的一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，所述的冗余金屬槽比金屬導線槽淺。

6.如權利要求1所述的一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，在步驟（3）中對硬掩模層進行光刻和刻蝕時完成兩次光刻和刻蝕形成硬掩模金屬導線槽和硬掩模冗余金屬槽，再次光刻和刻蝕形成金屬導線槽和冗余金屬槽。

7.如權利要求6所述的一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，所述的硬掩模冗余金屬槽比硬掩模金屬導線槽淺。

8.如權利要求6所述的一種去除金屬層冗余金屬填充的制造工藝，其特征在于，所述的冗余金屬槽比金屬導線槽淺。