[發明專利]一種基于閾值電壓調節的多級溫度控制自刷新存儲設備及其方法

有效

• 申請號: 201110284656.7
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103021451A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 解玉鳳;林殷茵;孟超;程寬
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406
• 代理公司: 上海元一成知識產權代理事務所(普通合伙) 31268
• 代理人: 吳桂琴

1.一種基于閾值電壓調節的多級溫度控制自刷新存儲設備，包括振蕩器、分頻器、溫度傳感器，第一選擇器，所述的溫度傳感器和第一選擇器連接，振蕩器連接到分頻器，分頻器和第一選擇器連接，第一選擇器和DRAM陣列相連接，其特征在于：

該存儲設備還包括n個襯底電壓穩定模塊和第二選擇器，所述n個襯底電壓穩定模塊產生DRAM保持期間的襯底電壓VBB1、VBB2、……VBBn，第二選擇器在溫度傳感器產生的溫度電壓信號Vtemp控制下從襯底電壓VBB1、VBB2、……VBBn中選擇一個輸出到DRAM陣列的晶體管襯底電壓上，

其中，n為自然數。

2.根據權利要求1所述的基于閾值電壓調節的多級溫度控制自刷新存儲設備，其特征在于，振蕩器產生刷新信號frq，然后輸出到分頻器。

3.根據權利要求2所述的基于閾值電壓調節的多級溫度控制自刷新存儲設備，其特征在于，分頻器對振蕩器產生的刷新信號frq進行分頻，產生分頻后的刷新頻率frqs。

4.根據權利要求3所述的基于閾值電壓調節的多級溫度控制自刷新存儲設備，其特征在于，在Vtemp控制下，第一選擇器從多個刷新頻率frqs中選擇給出最終刷新頻率Refrq，輸出到DRAM陣列。

5.根據權利要求1所述的基于閾值電壓調節的多級溫度控制自刷新存儲設備，其特征在于，襯底電壓穩定模塊包括三個定值電阻、一個三極管T1、比較器和電荷泵。

6.根據權利要求5所述的基于閾值電壓調節的多級溫度控制自刷新存儲設備，其特征在于，三極管為跟DRAM陣列中晶體管完全相同的晶體管，取自冗余單元。

7.根據權利要求6所述的基于閾值電壓調節的多級溫度控制自刷新存儲設備，其特征在于，通過調整三個定值電阻得到襯底電壓VBBn。

8.根據權利要求1所述的基于閾值電壓調節的多級溫度控制自刷新存儲設備，其特征在于，第二選擇器為三態傳輸門。

9.一種基于閾值電壓調節的多級溫度控制自刷新存儲設備的刷新方法，所述存儲設備包括振蕩器、分頻器、溫度傳感器，第一選擇器，所述的溫度傳感器和第一選擇器連接，振蕩器連接到分頻器，分頻器和第一選擇器連接，第一選擇器和DRAM陣列相連接，其特征在于：

n個襯底電壓穩定模塊產生DRAM保持期間的襯底電壓VBB1、VBB2、……VBBn，第二選擇器在溫度傳感器產生的溫度電壓信號Vtemp控制下從襯底電壓VBB1、VBB2、……VBBn中選擇一個輸出到DRAM陣列的晶體管襯底電壓上，其中，n為自然數。