[發明專利]利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太陽能電池無效
| 申請號: | 201110284044.8 | 申請日: | 2011-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN103022210A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 陳政宏;劉幼海;劉吉人 | 申請(專利權)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/075 | 分類號: | H01L31/075;H01L31/028 |
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| 地址: | 201707 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 甲烷 制作 高效率 非晶硅 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太陽能電池,其目的在于大幅增加非晶硅薄膜太陽能電池針對紅外光的吸收度,進而達到高效率之非晶硅薄膜太陽能電池。
2.根據權利要求1所述的一種利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太陽能電池,其中透明玻璃基板材質選用超高穿透度之玻璃基板,以增加入射光的比例。
3.根據權利要求1所述的一種利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太陽能電池,其中該P層非晶硅半導體層,使用PH3形成帶電洞之半導體層。
4.根據權利要求1所述的一種利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太陽能電池,其中該非晶硅(SiC:H)本質半導體層,選用甲烷、硅烷及氫氣制作本質半導體層,使其能夠吸收更多紅外光,并大幅提升非晶硅薄膜太陽能電池的效率。
5.根據權利要求1所述的一種利用甲烷制作高效率非晶硅薄膜太陽能電池,其中該N層非晶硅半導體層,使用TMB及B2H6形成帶電子之半導體層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





