[發(fā)明專利]調整PECVD氣流出口位置以改善大面積下膜層均勻度

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110283740.7
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103014663A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 戴嘉男;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52;C23C16/24
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1.一種調整PECVD氣流出口位置以改善大面積下膜層均勻度的方法，其系統(tǒng)主要包含入口端、加熱抽真空腔、P型半導體薄膜制程腔、I型半導體薄膜制程腔、N型半導體膜膜制程腔、降溫破真空腔及出口端，在每個腔體內都設有傳送輪軸及真空pump，且制程腔內部則都有加熱裝置、Showerhead氣流孔、自動壓力控制器APC及RF電極，以便進行鍍膜制程，當TCO玻璃由入口端傳送進入到加熱抽真空后，當傳送P型半導體薄膜制程腔時，將此發(fā)明把氣流出口位置調整至離pump端較遠處，使其氣體從showerhead開始擴散時，氣體能夠有較多時間在TCO玻璃上，此時開始電漿開啟鍍上P型半導體，且I型與N型半導體也是以同樣的方式，利用此發(fā)明的設計鍍上I型及N型硅薄膜，完成后再破真空至大氣，且傳入出口端即可；此種發(fā)明可以擴展臥式PECVD在大面積尺寸下仍然能夠可以有較佳的鍍膜均勻度，藉由此方法可以提升膜層均勻度，且也可增加太陽能硅薄膜電池效率。

2.根據權利要求1所述的一種調整PECVD氣流出口位置以改善大面積下膜層均勻度，其中入口端與出口端讓玻璃藉由滾輪傳送設有sensor定位，可讓每次玻璃出入片都是在固定的位置，且以固定的間距傳送玻璃。

3.??根據權利要求1所述的一種調整PECVD氣流出口位置以改善大面積下膜層均勻度，在抽真空腔與降溫破真空腔，都設有真空pump，可隨時將腔體抽真空至低真空或者是破真空到大氣裝置，且都會與電腦界面訊號連接，可隨時監(jiān)控腔體狀況。

4.??根據權利要求1所述的調整PECVD氣流出口位置以改善大面積下膜層均勻度，其P.I.N型半導體薄膜制程腔內都設有加熱裝置可將玻璃加熱并有保溫的效果，可以使玻璃在均溫的情形下進行鍍膜，此外也有showerhead可讓氣體流出后均勻的擴散在玻璃上進行鍍膜，也設有RF?power可當氣體流入后開啟RF?power產生電漿，將SiH4解離Si原子，并沉積于TCO玻璃上，故可讓玻璃鍍上P.I.N型半導體硅薄膜。

5.??根據權利要求1所述的調整PECVD氣流出口位置以改善大面積下膜層均勻度，其P.I.N型半導體薄膜制程腔內的氣流出口位置都經過調整，并非在腔體的正中心位置，而是屬于遠離抽氣Pump的位置，主要是氣體流出后，因為遠離抽氣pump，可以讓氣體停留在玻璃上的時間較長，讓電漿開啟時有更穩(wěn)定流量的硅原子可以沉積于TCO玻璃上，藉此使得大面積下的TCO玻璃能夠更佳均勻，藉此也可得到高效率的太陽能硅薄膜電池。