[發(fā)明專利]柔性基底微晶硅薄膜的快速、均勻制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110283647.6 | 申請(qǐng)日： | 2011-09-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102330067A | 公開（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王金曉;馮煜東;王藝;王志民;趙慨;速小梅;王虎 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)航天科技集團(tuán)公司第五研究院第五一○研究所 |
| 主分類號(hào)： | C23C16/24 | 分類號(hào)： | C23C16/24;C23C16/44 |
| 代理公司： | 甘肅省知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100 | 代理人： | 馬英 |
| 地址： | 730000*** | 國(guó)省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 柔性 基底 微晶硅 薄膜 快速 均勻 制備 方法 | ||
1.一種柔性基底微晶硅薄膜的快速、均勻制備方法，其特征在于，采用熱絲輔助甚高頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積微晶硅薄膜，達(dá)到柔性基底微晶硅薄膜的快速、均勻制備，具體實(shí)現(xiàn)步驟如下：
(1)?將柔性基底置于真空腔室內(nèi)，本底真空高于10-5Torr；?
(2)?所述柔性基底通過(guò)輝光等離子體清洗活化提高鍍制膜層的附著力；
(3)?采用熱絲輔助甚高頻等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積微晶硅薄膜，熱絲置于甚高頻源和樣品臺(tái)之間，熱絲與樣品臺(tái)距離在5～30mm，熱絲溫度變化范圍設(shè)定在1300～2000oC，所述柔性基底無(wú)額外加熱系統(tǒng)，所用反應(yīng)氣體為：硅烷和氫氣，反應(yīng)氣體壓強(qiáng)40～200Pa；輝光功率：20～60W；氫氣稀釋硅烷濃度SC＝([SiH4]/([SiH4]+[H2]))＝2～15％；輝光激勵(lì)頻率：40～100MHz。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆，例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上，例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
