[發明專利]薄膜太陽能電池無效
| 申請號: | 201110283633.4 | 申請日: | 2011-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN102306678A | 公開(公告)日: | 2012-01-04 |
| 發明(設計)人: | 鄭分剛;曹大威;王春燕 | 申請(專利權)人: | 蘇州大學 |
| 主分類號: | H01L31/078 | 分類號: | H01L31/078;H01L31/0336 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海鋒;陸金星 |
| 地址: | 215123 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種薄膜太陽能電池,其特征在于:從上到下依次包括ITO導電玻璃(5)、PZT薄膜層(1)、a-Si薄膜層(2)和金屬電極(3),所述PZT薄膜層設于ITO導電玻璃的導電面(4)上;
所述金屬電極與a-Si薄膜層形成歐姆接觸;所述ITO導電玻璃的導電面與PZT薄膜層構成肖特基接觸結構;所述金屬電極和ITO導電玻璃的導電面構成太陽能電池的正負電極結構。
2.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述PZT薄膜層的厚度為200~400?nm。
3.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述a-Si薄膜層的厚度為200~500?nm。
4.根據權利要求1所述的薄膜太陽能電池,其特征在于:所述a-Si薄膜層為n型。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





