[發明專利]集成電路芯片上供封裝的焊墊結構

有效

• 申請號: 201110283538.4
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103021978A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 蘇慶
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/485
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 張驥

技術領域

本發明涉及一種集成電路的封裝防護結構，具體涉及一種集成電路芯片上供封裝的焊墊結構。

背景技術

目前常用的集成電路芯片上供封裝的焊墊結構如圖1所示，其由多層金屬重疊形成。這種焊墊結構由于所使用的金屬層數多，連接方便而被廣泛使用。但是，由于受到封裝應力的制約和可能的破壞力，這種焊墊結構的下方不能放置器件，這樣在芯片設計中不得不留出面積專門用于焊墊連接。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種集成電路芯片上供封裝的焊墊結構，它可以將有源或無源器件放置于焊墊結構的下方，而在封裝過程中其不受損傷。

為解決上述技術問題，本發明集成電路芯片上供封裝的焊墊結構的技術解決方案為：

包括至少三層相互平行的金屬層，倒數第二層金屬設置于頂層金屬的下方，倒數第二層金屬的下方設置有倒數第三層金屬或者更多與倒數第三層金屬平行的金屬層；所述頂層金屬為八邊形；所述倒數第二層金屬包括八邊形的環形金屬層，環形金屬層的中央設置有多個規則排列的方形金屬層，環形金屬層和方形金屬層分別通過多個頂層通孔連接頂層金屬；所述倒數第三層金屬通過多個倒數第二層通孔連接倒數第二層金屬的環形金屬層。

所述多個方形金屬層成矩形方陣排列。

所述環形金屬層的寬度為10～20um。

所述方形金屬層的邊長為2～5um。

所述每個方形金屬層通過4～8個頂層通孔連接頂層金屬。

所述頂層金屬中央的焊墊窗口區域為八邊形。

本發明可以達到的技術效果是：

本發明的倒數第二層金屬包括方形金屬層和設置于方形金屬層四周的環形金屬層，其環形金屬層能夠使焊墊的四周直接通過上下通孔實現連通，而其方形金屬層到頂層金屬有通孔連接，但到其下層金屬則不能通過通孔連接，因此方形金屬層能夠減緩封裝的應力。即使方形金屬層受損傷，也不會通過通孔將應力傳遞到下層金屬以及器件本身，從而能夠避免封裝時的應力直接傳遞到焊墊下方的器件上而導致其損傷，起到保護焊墊下方器件的作用。

本發明能夠解決現有的焊墊結構無法將有源或無源器件放置于焊墊下方的問題，能夠節省芯片所占用的面積，降低設計成本。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：

圖1是現有技術集成電路芯片上供封裝的焊墊結構的剖面示意圖；

圖2是本發明集成電路芯片上供封裝的焊墊結構的剖面示意圖；

圖3是本發明的頂層金屬的俯視圖；

圖4是本發明的倒數第二層金屬及其連接通孔的俯視圖。

具體實施方式

如圖2至圖4所示，本發明集成電路芯片上供封裝的焊墊結構，包括至少三層相互平行的金屬層，倒數第二層金屬設置于頂層金屬的下方，倒數第三層金屬設置于倒數第二層金屬的下方；

頂層金屬為八邊形，頂層金屬中央的焊墊窗口區域也為八邊形；焊墊窗口區域被由氧化硅形成的鈍化層所覆蓋；

倒數第二層金屬包括八邊形的環形金屬層，環形金屬層的中央設置有多個規則排列的方形金屬層，環形金屬層和方形金屬層分別通過多個頂層通孔連接頂層金屬；多個方形金屬層成矩形方陣，均勻排列在環形金屬層的中間；

環形金屬層的寬度為10～20um，方形金屬層的邊長為2～5um；

每個方形金屬層通過4～8個頂層通孔連接頂層金屬(圖4中為4個頂層通孔)；

倒數第三層金屬通過多個倒數第二層通孔連接倒數第二層金屬的環形金屬層，即倒數第二層金屬的下一級通孔(即倒數第二層通孔)只通過環形金屬層部分連接到下一層金屬上，而不通過方形金屬層連接。

本發明的倒數第二層以下的金屬(即倒數第三層金屬及倒數第三層以下的金屬層，不包括倒數第二層金屬)可用于正常電路的連線，這樣將就把焊墊下方的器件電性能連接出來。