[發(fā)明專利]碳化硅半導(dǎo)體器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110283503.0
• 申請日: 2011-09-15
• 公開（公告）號: CN102412300A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·施普利;P·莫比;J·科文頓;M·詹寧斯
• 申請（專利權(quán)）人: 通用電氣航空系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/24;H01L29/10
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 柯廣華;朱海煜

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括：將包含硅的第一層施加到包含碳化硅的第二層，由此在所述第一層和所述第二層之間定義了界面，以及氧化所述第一層的一些或全部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一層晶片結(jié)合到所述第二層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述第二層由單晶的SiC組成。

4.根據(jù)上述權(quán)利要求的任一項所述的方法，其中，所述第一層由單晶的Si組成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1到4的任一項所述的方法，其中，氧化所述第一層的一些或全部的所述步驟在將所述第一層施加到所述第二層之后執(zhí)行。

6.根據(jù)權(quán)利要求1到4的任一項所述的方法，其中，氧化所述第一層的一些或全部的所述步驟在將所述第一層施加到所述第二層之前或者同時執(zhí)行。

7.一種根據(jù)權(quán)利要求1到6的任一項所述的方法制造的半導(dǎo)體器件，包括接合到包含碳化硅的第二層的、包含SiO2的第一層，由此在所述第一層和所述第二層之間定義了界面。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其包括MOSFET。

9.一種包含根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體器件的航空器配電系統(tǒng)。

10.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，大體上如參照附圖在本文中描述的那樣。

11.一種半導(dǎo)體器件，大體上如參照附圖在本文中描述的那樣。

12.一種航空器配電系統(tǒng)，大體上如參照附圖在本文中描述的那樣。