[發明專利]雙臺階結構閘電極及相應的薄膜場效應晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201110283366.0
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN102315111A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 董成才;許哲豪
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

1.一種雙臺階結構閘電極的制作方法，其特征在于，包括步驟：

S10、在基板上依次沉積第一金屬層、第二金屬層以及光阻層；

S20、使用半透性光刻板對所述光阻層進行圖形化使得所述光阻層兩側的厚度比所述光阻層中間的厚度薄，所述光阻層的中間較厚部分的寬度為第一寬度，所述光阻層的寬度為第二寬度；

S30、進行濕法刻蝕使所述第一金屬層和所述第二金屬層一齊形成單臺階狀結構；

S40、通過光阻灰化將所述光阻層兩側較薄的部分去除；

S50、進行濕法刻蝕使所述第二金屬層的寬度減少到所述第一寬度；

S60、對所述光阻層進行剝離處理。

2.根據權利要求1所述的雙臺階結構閘電極的制作方法，其特征在于，步驟S60后，所述第二金屬層的寬度為所述第一寬度，所述第一金屬層的寬度為所述第二寬度。

3.根據權利要求1所述的雙臺階結構閘電極的制作方法，其特征在于，所述半透性光刻板的中間為不透光層，兩側為半透光層，所述半透性光刻板的寬度為所述第二寬度，所述不透光層的寬度為所述第一寬度。

4.根據權利要求1所述的雙臺階結構閘電極的制作方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的刻蝕液的組分重量份數為：H3PO4?50-60份；HNO3?10-20份；CH3COOH?2-10份；H2O?20-30份。

5.根據權利要求1所述的雙臺階結構閘電極的制作方法，其特征在于，所述光阻灰化為利用紫外光切斷所述光阻層中光刻膠的化學鍵，并使用通過臭氧分解的氧活性基與所述光刻膠發生反應以去除所述光阻層的臭氧光阻灰化。

6.根據權利要求5所述的雙臺階結構閘電極的制作方法，其特征在于，所述光阻灰化的溫度為80度至120度。

7.根據權利要求1所述的雙臺階結構閘電極的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層為鋁金屬層。

8.根據權利要求1所述的雙臺階結構閘電極的制作方法，其特征在于，所述第二金屬層為鉬金屬層。

9.一種薄膜場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括雙臺階結構閘電極的制作，包括步驟：

S10、在基板上依次沉積第一金屬層、第二金屬層以及光阻層；

S20、使用半透性光刻板對所述光阻層進行圖形化使得所述光阻層兩側的厚度比所述光阻層中間的厚度薄，所述光阻層的中間較厚部分的寬度為第一寬度，整個光阻層的寬度為第二寬度；

S30、進行濕法刻蝕使所述第一金屬層和所述第二金屬層一齊形成單臺階狀結構；

S40、通過光阻灰化將兩側厚度較薄的光阻層去除；

S50、進行濕法刻蝕使所述第二金屬層的寬度減少到所述第一寬度；

S60、對所述光阻層進行剝離處理。

10.根據權利要求9所述的薄膜場效應晶體管的制作方法，其特征在于，

步驟S60后，所述第二金屬層的寬度為所述第一寬度，所述第一金屬層的寬度為所述第二寬度；

所述半透性光刻板的中間為不透光層，兩側為半透光層，所述半透性光刻板的寬度為所述第二寬度，所述不透光層的寬度為所述第一寬度。