[發明專利]一種晶硅太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201110282971.6
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103022163A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 郭冉;譚偉華;周勇
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種晶硅太陽能電池，其特征在于，所述晶硅太陽能電池從下至上依次包括背面電極、鋁背場、P型硅襯底、N型硅層、Ti-Si金屬間化合物層、減反射層和正面電極，所述P型硅襯底與N型硅層之間形成有P-N結，正面電極滲透過所述減反射層與Ti-Si金屬間化合物層接觸。

2.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池，其特征在于，所述Ti-Si金屬間化合物層的圖案在所述晶硅太陽能電池的法線方向與正面電極的圖案重合。

3.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池，其特征在于，Ti-Si金屬間化合物層的厚度為0.01-0.08μm。

4.根據權利要求1所述的晶硅太陽能電池，其特征在于，所述減反射層為氮化硅層，減反射層的厚度為70-90nm。

5.權利要求1所述的晶硅太陽能電池的制備方法，包括以下步驟：

A、對P型硅襯底表面進行制絨、擴散和去磷硅玻璃，在P型硅襯底表面形成N型硅層，P型硅襯底與N型硅層的交界面形成P-N結；

B、在N型硅層表面形成金屬Ti層，然后進行熱處理，在N型硅層表面形成Ti-Si金屬間化合物層；

C、在Ti-Si金屬間化合物層表面進行等離子增強型化學氣相沉積，形成減反射層；

D、在減反射層表面印刷正面電極，在P型硅襯底表面印刷鋁背場和背面電極，燒結后正面電極滲透過所述減反射層與Ti-Si金屬間化合物層接觸。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，在N型硅層表面形成金屬Ti層的方法為物理氣相沉積、印刷、噴涂或噴墨打印。

7.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，還包括：在N型硅層表面形成金屬Ti層之前，在N型硅層表面采用光刻膠制備掩膜的步驟。

8.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，熱處理的溫度為650-850℃，時間為3-12s。

9.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，正面電極的印刷區域與Ti-Si金屬間化合物層的圖案在所述正面電極的法線方向重合。

10.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，燒結的最高溫度為700-780℃，最高溫度下的燒結時間為3-8s。