[發明專利]半導體器件制造方法

無效

• 申請號: 201110282910.X
• 申請日: 2011-09-22
• 公開（公告）號: CN103021929A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 鮑宇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 魏小薇

1.一種半導體器件制造方法，包括：

(a)對第一電介質層(201)進行刻蝕以形成凹陷(203)，其中所述第一電介質層(201)是由第一電介質材料形成的；

(b)在所述第一電介質層(201)和所述凹陷(203)的上方沉積第二電介質材料以形成第二電介質層(202)，使得所述凹陷(203)被所述第一電介質層(201)和所述第二電介質層(202)包圍以形成氣隙(205)；

(c)執行刻蝕，使得與所述氣隙(205)相鄰地在所述第一電介質層(201)和所述第二電介質層(202)中形成第一溝槽(206)。

2.根據權利要求1的方法，還包括：

(d)在所述第一溝槽(206)中填充第一導電材料(207)。

3.根據權利要求1的方法，還包括：

(j)從所述第一溝槽(206)繼續進行刻蝕，以形成第一貫穿孔(216)，相互連通的所述第一溝槽(206)和所述第一貫穿孔(216)貫穿所述第一電介質層(201)和所述第二電介質層(202)。

4.根據權利要求3的方法，還包括：

(l)在所述第一溝槽(206)和所述第一貫穿孔(216)中填充第一導電材料(207)。

5.根據權利要求1的方法，還包括：

(k)在步驟(a)之前，在第一阻擋層(210)上形成所述第一電介質層(201)。

6.根據權利要求3的方法，還包括：

(k)在步驟(a)之前，在第一阻擋層(210)上形成所述第一電介質層(201)，

其中，在步驟(j)中所形成的第一貫穿孔(216)貫穿所述第一阻擋層(210)。

7.根據權利要求2或4的方法，還包括：

(e)對所述第一導電材料(207)進行化學機械研磨，使得研磨所得到的表面高于所述氣隙(205)的頂端。

8.根據權利要求7的方法，還包括：

(f)在通過所述化學機械研磨所得到的表面上形成第二阻擋層(208)。

9.根據權利要求8的方法，還包括：

(g)在所述第二阻擋層(208)上形成第三電介質層(211)；

(h)對所述第三電介質層(211)進行刻蝕，以形成第二溝槽(212)和與所述第二溝槽(212)連通的第二貫穿孔(213)，所述第二溝槽(212)和所述第二貫穿孔(213)貫通所述第三電介質層(211)和所述第二阻擋層(208)，所述第二貫穿孔(213)的下端與所述第一導電材料(207)的頂端基本上齊平；以及

(i)在所述第二溝槽(212)和所述第二貫穿孔(213)中填充第二導電材料(217)。

10.根據權利要求9的方法，其中

所述第二導電材料(217)與所述第一導電材料(207)是相同的導電材料。

11.根據權利要求10的方法，其中

所述導電材料是銅。

12.根據權利要求1的方法，其中

所述第一電介質材料和所述第二電介質材料是相同的低介電常數材料，該低介電常數材料的相對介電常數低于3.0。

13.根據權利要求12的方法，其中

所述低介電常數材料包含硅氧化物和碳。

14.根據權利要求12的方法，其中

所述低介電常數材料包含硅氧化物和氟。

15.一種半導體器件制造方法，包括：

(a)對第一電介質層(201)進行刻蝕以形成多個凹陷(203)，其中所述第一電介質層(201)是由第一電介質材料形成的；

(b)在第一電介質層(201)和所述多個凹陷(203)的上方沉積第二電介質材料以形成第二電介質層(202)，使得所述多個凹陷(203)被所述第一電介質層(201)和所述第二電介質層(202)包圍以形成多個氣隙(205)；

(c)執行刻蝕，使得在所述多個氣隙(205)中的相鄰的氣隙(205)之間在所述第一電介質層(201)和所述第二電介質層(202)中形成第一溝槽(206)。

16.根據權利要求15的方法，還包括：

(d)在所述第一溝槽(206)中填充第一導電材料(207)。