[發(fā)明專利]SRAM單元及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110282569.8
• 申請(qǐng)日: 2011-09-21
• 公開（公告）號(hào): CN103022039A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱慧瓏;梁擎擎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號(hào): H01L27/11
• 分類號(hào): H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)單元，包括：

半導(dǎo)體層；以及

在半導(dǎo)體層上形成的第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)和第二FinFET，其中

所述第一FinFET包括對(duì)所述半導(dǎo)體層構(gòu)圖而形成的第一鰭片，所述第一鰭片具有第一頂面和第一底面，

所述第二FinFET包括對(duì)所述半導(dǎo)體層構(gòu)圖而形成的第二鰭片，所述第二鰭片具有第二頂面和第二底面，

其中，所述第一頂面與所述第二頂面持平，所述第一底面和第二底面接于所述半導(dǎo)體層，且所述第二鰭片的高度高于所述第一鰭片的高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM單元，其中，所述半導(dǎo)體層是體半導(dǎo)體襯底。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM單元，其中，第一鰭片和第二鰭片中至少一個(gè)鰭片在底部包括阻擋區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的SRAM單元，其中，對(duì)于p型FinFET，所述阻擋區(qū)包括n型摻雜劑；對(duì)于n型FinFET，所述阻擋區(qū)包括p型摻雜劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SRAM單元，其中，第一FinFET和第二FinFET分別包括跨于各自的鰭片上的柵堆疊，所述柵堆疊包括柵介質(zhì)層、功函數(shù)調(diào)節(jié)層和柵電極層，

其中，所述柵堆疊通過隔離層與所述半導(dǎo)體層相隔開。

6.一種制作靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)單元的方法，所述SRAM單元包括第一鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)和第二FinFET，該方法包括：

在半導(dǎo)體層的第一區(qū)域和第二區(qū)域中，對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖，以分別形成第一鰭片和第二鰭片，所述第一鰭片具有第一頂面和第一底面，所述第二鰭片具有第二頂面和第二底面；以及

基于所述第一鰭片和第二鰭片，分別形成所述第一FinFET和第二FinFET，

其中，所述第一頂面與所述第二頂面持平，所述第一底面和第二底面接于所述半導(dǎo)體層，且所述第二鰭片的高度高于所述第一鰭片的高度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述構(gòu)圖步驟包括：

在所述第一區(qū)域和第二區(qū)域?qū)λ霭雽?dǎo)體層進(jìn)行構(gòu)圖，以分別形成所述第一鰭片以及所述第二鰭片的一部分；以及

在所述第二區(qū)域?qū)λ霭雽?dǎo)體層進(jìn)行進(jìn)一步構(gòu)圖，以形成所述第二鰭片的其余部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體層是體半導(dǎo)體襯底。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，還包括：在所述第一鰭片和第二鰭片中至少一個(gè)鰭片的底部形成阻擋區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，形成阻擋區(qū)的步驟包括：

在所述至少一個(gè)鰭片的兩側(cè)，向所述半導(dǎo)體層中注入摻雜劑；以及

進(jìn)行退火，激活注入的摻雜劑，使得摻雜劑擴(kuò)散到所述至少一個(gè)鰭片的底部。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，基于所述第一鰭片和第二鰭片分別形成所述第一FinFET和第二FinFET的步驟包括：

在所述第一鰭片和第二鰭片各自的兩側(cè)形成隔離層；以及

在隔離層上，跨于所述第一鰭片和第二鰭片形成柵堆疊。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成隔離層的步驟包括：

形成隔離材料層，該隔離材料層位于鰭片側(cè)壁上的部分較薄，而其余部分較厚；以及

對(duì)所述隔離材料層進(jìn)行各向同性回蝕，露出鰭片側(cè)壁。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，在所述各向同性回蝕過程中，對(duì)所述第一區(qū)域與第二區(qū)域之間界面中至少一部分界面處的隔離材料層進(jìn)行保護(hù)，以避免其被刻蝕。