[發(fā)明專利]利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110282529.3 | 申請日： | 2011-09-22 |
| 公開（公告）號： | CN103022162A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳政宏;劉幼海;劉吉人 | 申請（專利權(quán)）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/075 |
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| 地址： | 201707 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 利用 氧化鋅 參雜 制作 捕捉 效率 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽能電池，其目的在于大幅增加太陽光入射硅薄膜太陽能電池的光捕捉效率，進(jìn)而達(dá)到高效率之硅薄膜太陽能電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽能電池，其中透明玻璃基板材質(zhì)選用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽能電池，其中該ZnO:B透明導(dǎo)電層，使用鋅、氧、硼的化合物制作之透明導(dǎo)電層，使入射光能大量通過，并進(jìn)入硅薄膜本質(zhì)層，進(jìn)而提供太陽光吸收及提升硅薄膜太陽能電池的效率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽能電池，其中該P(yáng)層硅薄膜半導(dǎo)體層，使用PH3形成帶電洞之半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽能電池，其中該硅薄膜本質(zhì)半導(dǎo)體層，使用氫及甲烷制作本質(zhì)半導(dǎo)體層，使其能夠吸收更多太陽入射光，并大幅提升硅薄膜太陽能電池的效率。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種利用氧化鋅參雜硼制作高光捕捉效率的硅薄膜太陽能電池，其中該N層硅薄膜半導(dǎo)體層，使用TMB及B2H6形成帶電子之半導(dǎo)體層。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
