[發明專利]制作島狀成長結構背電極之方法無效
| 申請號: | 201110282420.X | 申請日: | 2011-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN103022225A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 簡唯倫;劉幼海;劉吉人 | 申請(專利權)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
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| 地址: | 201707 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制作 成長 結構 電極 方法 | ||
技術領域
本發明是一種可有效增加入射光到達背電極后反射光散射之方向性,提升光在吸收層的行進距離,提高太陽能效率,其主要目的:采用銀金屬背電極沉積成膜的機制原理,使其表面形成凸形的島狀結構,增加入射光到達背電極后反射光散射之方向性,提升光在吸收層的行進距離,以增加太陽能電池發電效率。?
背景技術
在第一道制程為鍍制背電極結構的太陽能電池,因為并不像先鍍制前電極的太陽能電池有透明導電玻璃有texture(絨狀)表面,所以缺乏光在組件內部散射、增加光行進距離的結構,若要提高散射率,需在電池入光前加裝散射裝置,成本相當高。如能有效改善此缺點,便能提升整體效率。?
發明內容
本發明主要是采用銀金屬背電極島狀結構沉積成膜的機制原理,使其表面形成凸形的島狀結構,增加入射光到達背電極后反射光散射之方向性,提升光在吸收層的行進距離,以增加太陽能電池發電效率。先取得一個基板,利用濺鍍方法鍍制銀金屬背電極膜。在基板溫度較高時,銀金屬會以島狀結構沉積成膜,我們可以運用此沉積特性,使其表面形成凸形的島狀結構,其目的在于增加銀金屬背電極的表面積,提升光反射后行進角度分布,增加光在太陽能組件內行徑距離,以提升太陽能電池有效光源。?
具體實施方法:
吾將本發明搭配附圖,詳細說明如下:?圖1?為本發明島狀成長結構背電極之示意圖,由圖中可得知,一開始取得一基板(1),將其放入將濺鍍真空腔體內,在鍍制過程中,將其基板溫度提升至200℃,此時,銀金屬因為溫度影響,成膜機制轉變成島狀方式沉積(3),此行為,使其玻膜表面形成凸形的島狀結構,產生了許多額外的表面積。
圖2?為本發明凸形的島狀結構之光行進路線圖,當光遇到背電極反射時(2),未經過凸形的島狀結構(4)時,行進間散射角度分布較窄;相對于光經由膜層之凸形的島狀結構(5)時,由于增加光接觸表面積,故能提升光散射角度分布,提高光在于組件內行進距離,有效增加入射光之利用率,提升太陽能產業進爭能力。?
??
以上說明,對本發明而言只是說明性的,非限制性的,本領域普通技術人員理解,在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下,可作出許多修正、變化或等效,但都將落入本發明的保護范圍之內。
?附圖說明:下面為結合附圖對本發明進一步說明,圖1?為本發明背電極膜層鍍制之示意圖。圖2?為本發明凸形的島狀結構之光行進路線之示意圖。?
圖標主要符號說明。
1?…玻璃?
2?…銀金屬反射層
3?…凸形的島狀結構(島狀結構成長)
4?…光行走非凸形的島狀結構背電極層之行進路線
5?…光行走本發明凸形的島狀結構背電極層之行進路線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





