[發明專利]雙結薄膜太陽能電池接面表面處理之技術無效
| 申請號: | 201110282345.7 | 申請日: | 2011-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN103022223A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 簡唯倫;劉幼海;劉吉人 | 申請(專利權)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
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| 地址: | 201707 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 太陽能電池 表面 處理 技術 | ||
1.本發明主要是采用氫氣電漿轟擊機制,在雙結薄膜太陽能電池接面進行表面轟擊,在此接面形成一些額外的缺陷,而這些缺陷會提高電子電洞復合的機率,有效阻止載子分離形成反向的內建電場,獲得良好的雙結薄膜太陽能電池的穿隧結,若是第二層薄膜太陽能電池為結晶性結構,此接面之缺陷也有助于提升薄膜沉積結晶之質量,大大提升薄膜太陽能電池之效能。
2.根據權利要求1所敘述的一種雙結薄膜太陽能電池接面表面處理之技術,皆適用于N-I-P(N-P)或P-I-N(P-N)型薄膜太陽能電池,只要為雙結太陽能電池,運用此技術,皆屬于本發明之權利要求。
3.根據權利要求1所敘述的一種雙結薄膜太陽能電池接面表面處理之技術,使用氫氣電漿進行表面轟擊處理,在此接面形成一些額外的缺陷層,有效阻止載子分離形成反向的內建電場。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





