[發明專利]離子轟擊法增加透光層光折射率之方法無效
| 申請號: | 201110282297.1 | 申請日: | 2011-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN103022221A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 簡唯倫;劉幼海;劉吉人 | 申請(專利權)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216 |
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| 地址: | 201707 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 離子 轟擊 增加 透光 折射率 方法 | ||
1.本發明主要是采用離子轟擊法增加透光層光折射率之方法,提高透光層表面積,增加光折射入玻璃的機率,以增加太陽能電池發電效率。
2.先取得以鍍上透光層的玻璃基板,將其基板表面使用離子轟擊其薄膜層表面,使其表面形成U形或V形的凹凸結構,其目的在于增加光入射玻璃時的表面積,提升光折射率,增加光在太陽能組件內行徑距離,大大提升太陽能電池有效光源。
3.根據權利要求1所述的一種離子轟擊法增加透光層光折射率之方法,其中離子轟擊,只需要能將透光層表面形成U形或V形的凹凸結構,形成絨狀(texture)薄膜層即可。
4.根據權利要求1所述的一種離子轟擊法增加透光層光折射率之方法,其中離子元素,可依透光層材質不同而選用不同原子序之惰性氣體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





