[發(fā)明專利]氣流均衡板、腔室裝置和基片處理設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110281846.3 | 申請日: | 2011-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN103021778A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 譚宗良 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣流 均衡 裝置 處理 設(shè)備 | ||
1.一種氣流均衡組件,其特征在于,包括:
具有第一開口的第一環(huán)形板,所述第一環(huán)形板上設(shè)有多個通孔;和
具有第二開口的第二環(huán)形板,所述第二環(huán)形板可調(diào)節(jié)地設(shè)在所述第一環(huán)形板上以部分地遮蓋所述第一環(huán)形板上的多個通孔,所述第二環(huán)形板的徑向?qū)挾妊厮龅诙h(huán)形板的周向變化,使所述第二環(huán)形板遮蓋的多個通孔的面積沿所述第一環(huán)形板的周向變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣流均衡組件,其特征在于,所述第二環(huán)形板的最大徑向?qū)挾鹊奈恢门c最小徑向?qū)挾鹊奈恢迷谒龅诙h(huán)形板的徑向上相對。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣流均衡組件,其特征在于,所述第二環(huán)形板相對于所述最大徑向?qū)挾鹊奈恢煤退鲎钚较驅(qū)挾鹊奈恢弥g的連線對稱。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣流均衡組件,其特征在于,所述第一環(huán)形板和第二環(huán)形板均為圓環(huán)形板,所述第一環(huán)形板的外徑等于所述第二環(huán)形板的外徑,所述第一環(huán)形板與所述第二環(huán)形板的外周對齊,且所述第一和第二開口為圓形開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣流均衡組件,其特征在于,所述第一環(huán)形板為圓環(huán)形板,所述第一開口和第二開口為半徑相同的圓形開口且所述第一開口和第二開口的中心對齊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的氣流均衡組件,其特征在于,每個所述通孔為沿所述第一環(huán)形板的徑向延伸的長孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣流均衡組件,其特征在于,所述多個通孔沿所述第一環(huán)形板的周向均勻分布。
8.一種腔室裝置,其特征在于,包括:
腔室本體,所述腔室本體內(nèi)限定有腔室,所述腔室內(nèi)設(shè)有基片支撐件,所述腔室本體的上部設(shè)有進氣口且下部設(shè)有抽氣口;和
氣流均衡組件,所述氣流均組件為根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的氣流均衡組件,所述氣流均衡組件的所述第一環(huán)形板和第二環(huán)形板套設(shè)在所述支撐件外面以將所述腔室隔成工藝腔和排氣腔,所述抽氣口與所述排氣腔連通;
其中,根據(jù)所述抽氣口的位置而相應地調(diào)節(jié)所述第二環(huán)形板與所述第一環(huán)形板之間的相對位置,使第二環(huán)形板的靠近所述抽氣口的部分的徑向?qū)挾却笥诘诙h(huán)形板的遠離所述抽氣口的部分的徑向?qū)挾取?/p>
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的腔室裝置,其特征在于,還包括抽氣腔體,所述抽氣腔體內(nèi)限定有抽氣腔,所述抽氣腔體與所述腔室本體相連以便所述抽氣腔通過所述抽氣口與所述排氣腔連通。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的腔室裝置,其特征在于,所述抽氣腔體和所述腔室本體一體形成。
11.一種基片處理設(shè)備,其特征在于,包括根據(jù)權(quán)利要求8-10中任一項所述的腔室裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基片處理設(shè)備,其特征在于,所述基片處理設(shè)備為等離子體刻蝕設(shè)備。
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