[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110281731.4
• 申請(qǐng)日: 2011-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102432281A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 花銀群;陳瑞芳;孫真真
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江蘇大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C04B35/453
• 分類(lèi)號(hào): C04B35/453;C04B35/622;C04B41/80
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 32200
• 代理人: 樓高潮

1.一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法，其特征在于：在氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜樣品表面上貼上鋁箔作為吸收層，在鋁箔表面上涂上、粘貼或者覆蓋上約束層之后將陶瓷薄膜樣品鑲嵌在模具上，對(duì)陶瓷薄膜樣品進(jìn)行激光沖擊，以提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜的電性能。

2.如權(quán)利要求1所述的一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法，其特征在于：所述的鋁箔厚度為0.1～0.3mm。

3.如權(quán)利要求1所述的一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法，其特征在于：所述的約束層厚度為0.3～1.0mm。

4.如權(quán)利要求1所述的一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法，其特征在于：所述的激光光斑尺寸為6mm，波長(zhǎng)為1064nm，脈沖寬度為10～22ns，脈沖能量為3～10J。

5.如權(quán)利要求1所述的一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法，其特征在于：所述的約束層材料為無(wú)色液體，能夠通過(guò)1.06μm波長(zhǎng)的激光，透光率大于水，室溫下粘度為500?CP，室溫下折射率為1400nd，閃點(diǎn)大于300℃。

6.如權(quán)利要求5所述的一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法，其特征在于：約束層采用如下方法制備：

在反應(yīng)釜內(nèi)加入二甲基環(huán)狀硅氧烷、止鏈劑六甲基二硅醚或三甲基硅基封端的二甲基硅氧烷低聚體和催化劑四甲基氫氧化銨，止鏈劑的加入量為二甲基環(huán)狀硅氧烷質(zhì)量的2.0~8.0%，催化劑的加入量為反應(yīng)物總質(zhì)量的0.01~0.03%，在80～90℃/60毫米汞柱下進(jìn)行調(diào)聚反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后，解除真空，升溫至150～200℃，破壞催化劑和脫除低沸物，冷卻后，即得液體約束層。

7.如權(quán)利要求5所述的一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法，其特征在于：約束層采用如下方法制備：

在反應(yīng)釜中加入硅油或硅橡膠的低沸物、六甲基二硅醚和濃度為98%的硫酸，六甲基二硅醚的加入量為硅油或硅橡膠的低沸物質(zhì)量的1.3~3.5%，濃度為98%的硫酸為反應(yīng)物總質(zhì)量的2~5%，在攪拌下于50～60℃進(jìn)行調(diào)聚反應(yīng)，反應(yīng)結(jié)束后，放去酸水層，油層水洗至中性，然后于150～200℃/10毫米汞柱下蒸除低沸物，冷卻后用活性炭脫色，減壓抽濾得液體約束層。

8.如權(quán)利要求7所述的一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法，其特征在于：所述硅油或硅橡膠的低沸物為二甲基硅氧烷低聚物，沸點(diǎn)200℃。

9.如權(quán)利要求5所述的一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法，其特征在于：所述約束層的使用方法如下：在氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜樣品表面上貼上鋁箔作為吸收層，然后利用液體約束層材料的粘性和自流平能力，將該液體約束層材料傾倒在涂層的表面，待其自流平后，它在工件表面能形成液體薄膜，然后用激光對(duì)氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜樣品表面進(jìn)行沖擊強(qiáng)化處理。

10.如權(quán)利要求5所述的一種提高氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜電性能的方法，其特征在于：所述約束層的使用方法如下：在氧化鋅基低壓壓敏陶瓷薄膜樣品表面上貼上鋁箔作為吸收層，利用噴槍將液體約束層材料直接噴涂在待沖擊工件表面，在工件表面能形成液體薄膜，然后用激光對(duì)工件表面進(jìn)行沖擊強(qiáng)化處理。