[發明專利]多晶硅鑄錠坩堝噴涂免燒結方法有效
| 申請號: | 201110281457.0 | 申請日: | 2011-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN102367572A | 公開(公告)日: | 2012-03-07 |
| 發明(設計)人: | 熊濤濤;馬良;印亞峰;劉瑞柱;王俊濤 | 申請(專利權)人: | 安陽市鳳凰光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C20/08 | 分類號: | C23C20/08;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司: | 安陽市智浩專利代理事務所 41116 | 代理人: | 王好勤 |
| 地址: | 456400 河*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多晶 鑄錠 坩堝 噴涂 燒結 方法 | ||
1.多晶硅鑄錠坩堝噴涂免燒結方法,其特征在于包括以下步驟:a在坩堝內壁上刷一層硅溶膠-凝膠混合物,混合物中,硅溶膠20-100克,硅凝膠500-1200克;涂刷硅溶膠-凝膠后形成一層很薄的玻璃結構層;b將氮化硅放入純凈水中,按370-420克氮化硅加純凈水1000-1800毫升,攪拌均勻,形成氮化硅懸浮液;c將氮化硅懸浮液噴涂于硅溶膠-凝膠混合物的玻璃結構層表面。
2.根據權利要求1所述的多晶硅鑄錠坩堝噴涂免燒結方法,其特征在于:所述b步驟中,純凈水為去離子純水,電阻率為10~18兆歐姆。
3.根據權利要求1所述的多晶硅鑄錠坩堝噴涂免燒結方法,其特征在于:?所述b步驟中,氮化硅加純凈水攪拌,指在常溫下攪拌20-40分鐘。
4.根據權利要求1所述的多晶硅鑄錠坩堝噴涂免燒結方法,其特征在于:?所述c步驟的氮化硅懸浮液噴涂,在坩堝內壁處于35-65℃的溫度的情況下進行。
5.根據權利要求1或3所述的多晶硅鑄錠坩堝噴涂免燒結方法,其特征在于:所述氮化硅指高純單晶氮化硅,其粗細均勻、表面光滑,直徑5~80nm。
6.根據權利要求1所述的多晶硅鑄錠坩堝噴涂免燒結方法,其特征在于:所述硅溶膠-凝膠混合物為直徑為1~100nm的膠體粒子懸浮液。
7.根據權利要求1或6所述的多晶硅鑄錠坩堝噴涂免燒結方法,其特征在于:所述凝膠是指由亞微米微孔和平均長度大于1um的聚合鏈構成的剛性互連網狀結構,pH在4~7之間形成凝膠。
8.根據權利要求1或6所述的多晶硅鑄錠坩堝噴涂免燒結方法,其特征在于:所述硅溶膠-凝膠,采取正硅酸乙酯進行水解、縮聚而成,制備步驟如下:
a按正硅酸乙酯:乙醇:(水+催化劑)=1:3:(10:0.01)摩爾比關系,分別稱取正硅酸乙酯、乙醇、水和催化劑;
b將正硅酸乙酯、乙醇混合;
c將含催化劑的去離子水緩慢加到上述混合溶液中,磁力攪拌器劇烈攪拌1h到2h,便可得到溶膠;
d在催化劑的催化下0.5h到1h內形成凝膠。
9.根據權利要求8所述的多晶硅鑄錠坩堝噴涂免燒結方法,其特征在于:所述正硅酸乙酯的純度為優級純;乙醇為溶度99.7%無水酒精;水要求為去離子純水,電阻率10兆到18兆;催化劑為鹽酸要求優級純、溶度35%-38%。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C20-00 通過固態覆層化合物抑或覆層形成化合物懸浮液分解且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C20-02 .鍍金屬材料
C23C20-06 .鍍金屬材料以外的無機材料
C23C20-08 ..鍍化合物、混合物或固溶體,例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C20-04 ..鍍金屬





