[發明專利]用于制造結構元件的方法和具有結構元件的半導體器件

有效

• 申請號: 201110281238.2
• 申請日: 2011-09-21
• 公開（公告）號: CN102412264A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: M.珀爾茲爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 胡莉莉;盧江

1.一種用于在半導體本體的表面上制造結構元件的方法，其具有如下特征：

-?提供具有表面（11）的半導體本體（10），

-?在表面（11）處產生凹進部（12），其中凹進部（12）從半導體本體（10）的表面（11）在垂直于表面（11）的方向上延伸到半導體本體（10）中，其中凹進部（12）具有底部（13）和至少一個側壁（14），

-?在表面（11）上和在凹進部（12）中產生第一輔助層（15），使得第一輔助層（15）在凹進部（12）上方構造槽（16），其中槽（16）具有槽底部（17）和至少一個槽側壁（18），所述至少一個槽側壁（18）對于半導體本體（10）的表面（11）有在20°到80°的范圍中的角度α，

-?在槽（16）內部在槽底部（17）處和在至少一個槽側壁（18）處產生第二輔助層（20），其中第一輔助層（15）和第二輔助層（20）在相同的表面水平上構造共同的表面（21）并且其中第二輔助層（20）由不同于第一輔助層（15）的材料制造，以及

-?選擇性地將第一輔助層（15）的未被第二輔助層（20）覆蓋的區域去除。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，第一輔助層（15）通過HDP工藝來產生。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，在產生第一輔助層（15）之前，在半導體本體（10）的表面（11）上和在凹進部（12）中產生相關聯的保護層（25）。

4.根據上述權利要求之一所述的方法，其中，第二輔助層（20）通過將其他材料沉積在槽（16）中來產生。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，第二輔助層（20）完全填充槽（16）。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，通過CMP方法制造第一和第二輔助層（15，20）的共同的表面（21）。

7.根據上述權利要求之一所述的方法，其中，在選擇性地去除第一輔助層（15）的未被第二輔助層（20）覆蓋的區域之后將第二輔助層（20）從槽（16）中去除。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，在半導體本體（10）中產生溝道（30）期間進行第二輔助層（20）的去除。

9.一種半導體器件，其具有：

-?具有表面（11）的半導體本體（10），

-?在半導體本體（10）中的凹進部（12），其中凹進部（12）從半導體本體（10）的表面（11）在垂直于表面（11）的方向上延伸到半導體本體（10）中，并且其中凹進部（12）具有底部（13）和至少一個側壁（14），

-?在半導體本體（10）的表面（11）上和在凹進部（12）中的層（15），其中所述層（15）在凹進部（12）上方構造槽（16），所述槽（16）具有槽底部（17）和至少一個槽側壁（18），其中至少一個槽側壁（18）對于半導體本體（10）的表面（11）有在20°到80°的范圍中的角度α，

-?其中所述層（15）具有從槽邊界（23）出發朝著半導體本體（10）的表面（11）延伸的至少一個邊界（22）。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述層（15）從凹進部（12）的側壁（14）出發到在50nm直至150nm的范圍中的線段x上方覆蓋半導體本體（10）的表面（11）。

11.根據權利要求9或10所述的半導體器件，其中，在半導體本體（10）中構造溝道（30），所述溝道（30）具有從所述層（15）的邊界（22）出發延伸到半導體本體（10）中的至少一個溝道側壁（42）。