[發(fā)明專利]線陣CCD的一種抗暈結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110281168.0 | 申請日: | 2011-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN102290427A | 公開(公告)日: | 2011-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪朝敏;劉昌舉;白雪平 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所 |
| 主分類號: | H01L27/148 | 分類號: | H01L27/148 |
| 代理公司: | 重慶輝騰律師事務(wù)所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春樂 |
| 地址: | 400060 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;85 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 線陣 ccd 一種 結(jié)構(gòu) | ||
1.線陣CCD的一種抗暈結(jié)構(gòu),包括:設(shè)置在第一結(jié)構(gòu)層(Ⅰ)上的存儲柵(2)和抗暈柵(4),設(shè)置在第二結(jié)構(gòu)層(Ⅱ)上的N區(qū)信道(1)、N-溢出勢壘區(qū)(4-1)和抗暈漏(3),第一結(jié)構(gòu)層(Ⅰ)和第二結(jié)構(gòu)層(Ⅱ)之間通過SiO2(5)層隔離;位置互相匹配的一條存儲柵(2)、一條N區(qū)信道(1)和一個(gè)N-溢出勢壘區(qū)(4-1)即形成一個(gè)信號單元;位置相互對應(yīng)的一個(gè)抗暈漏(3)和一條抗暈柵(4)即形成一個(gè)抗暈單元;位置互相對應(yīng)的一個(gè)信號單元和一個(gè)抗暈單元即形成一個(gè)像元,多個(gè)像元按線陣排列組成線陣CCD;
其特征在于:在第二結(jié)構(gòu)層(Ⅱ)上,每間隔兩個(gè)信號單元設(shè)置一抗暈單元,由抗暈單元兩側(cè)的信號單元共用一個(gè)抗暈單元;
具體來說:設(shè)有位置順次排列的第一信號單元、第一抗暈單元和第二信號單元,第一信號單元和第二信號單元共用第一抗暈單元,第一信號單元和第一抗暈單元即形成第一像元,第二信號單元和第一抗暈單元即形成第二像元;
第一信號單元和第二信號單元各自對應(yīng)一個(gè)N-溢出勢壘區(qū)(4-1),兩個(gè)N-溢出勢壘區(qū)(4-1)之間設(shè)置有一N型摻雜區(qū)(3-2),N型摻雜區(qū)(3-2)用于抑制第一像元和第二像元內(nèi)的信號相互溢出。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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