[發明專利]陣列基板、液晶顯示裝置及陣列基板的制造和修復方法

無效

• 申請號: 201110279994.1
• 申請日: 2011-09-20
• 公開（公告）號: CN102338959A
• 公開（公告）日: 2012-02-01
• 發明（設計）人: 陳虹瑞
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G02F1/13
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤;田夏

技術領域

本發明涉及液晶顯示領域，更具體的說，涉及一種陣列基板、液晶顯示裝置及陣列基板的制造和修復方法。?

背景技術

現有技術如圖1所示，液晶顯示裝置包括液晶面板，液晶面板包括陣列基板，所述列基板包括多個薄膜晶體，與薄膜晶體漏極連接的像素電極、與薄膜晶體柵極連接的柵線，與薄膜晶體源極連接的數據線；所述薄膜晶體的柵極和源極交接處(Crossover)，于制程上，交接處形成寄生電容，當電荷不斷聚集，容易發生靜電放電(ESD)擊穿而導致柵線與數據線短路(DGS線不良)，而易發生靜電放電擊穿的寄生電容沒有提供保護措施，由于其位置原因，一旦被擊穿便難以修復，可靠性較差，這樣可能造成整塊液晶面板報廢，產生不必要的浪費。發明專利CN200810057694.7公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的像素結構，該技術方案利用柵線與數據線疊交形成與寄生電容并聯的保護電容，利用保護電容間距小于寄生電容，造成耐壓小于寄生電容的特性，在發生靜電放電(ESD)的時候會先擊穿保護電容，從而保護了寄生電容。該技術方案解決了寄生電容靜電擊穿的問題，但也存在一些問題，在五次掩膜工藝生產的陣列基板中，柵線位于底層，其上面依次存在第一絕緣層、數據線和第二絕緣層，一旦保護電容被擊穿，修復難度比較大。?

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種設有低成本、修復方便的保護電容的陣列基板、液晶顯示裝置及陣列基板的制造和修復方法。?

本發明的目的是通過以下技術方案來實現的：?

一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板，其包括像素電極、柵線和數據線，所述柵線和數據線交疊處形成一寄生電容；所述數據線還設置有分支?部，所述分支部與所述柵線疊交形成與所述寄生電容并聯的保護電容，所述保護電容的耐壓小于所述寄生電容。?

優選的，所述保護電容兩電極之間的間距小于所述寄生電容兩電極之間的間距。一種保護電容耐壓小于寄生電容的實施方式，縮短電容兩電極之間的間距可以降低耐壓。?

優選的，所述保護電容與寄生電容形成于同一柵線上。柵線不產生分支部，完全由相應的數據線的分支部延伸出來，與所述柵線交疊形成保護電容，這樣工藝簡單。?

優選的，所述保護電容兩電極的正對面積大于所述寄生電容兩電極的正對面積。另外一種保護電容耐壓小于寄生電容的實施方式，增大電容兩電極之間的正對面積可以降低耐壓。?

優選的，所述保護電容兩電極的正對面積大于所述寄生電容兩電極的正對面積；所述保護電容兩電極之間的間距小于所述寄生電容兩電極之間的間距。增大電容兩電極之間的正對面積的技術方案在基于五次掩膜工藝制造的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板上的應用。?

優選的，所述保護電容兩電極之間的間距等于所述寄生電容兩電極之間的間距。增大電容兩電極之間的正對面積的技術方案在基于四次掩膜工藝制造的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板上的應用。?

一種液晶顯示裝置，其特征在于所述液晶顯示裝置包括上述的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板。?

一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制造方法，包括以下步驟：?

A：在陣列基板上通過成膜、曝光、刻蝕工藝形成柵線、柵極；?

B：直接沉積絕緣層，通過成膜、曝光、刻蝕工藝形成有源層圖形、數據線、分支部、源極和漏極；所述數據線與所述柵線交疊，形成寄生電容；所述分支部與相應柵線交疊，以形成與所述寄生電容并聯的耐壓小于所述寄生電容的保護電容。?

優選的，一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制造方法，其步驟B包括以下步驟：?

B1：直接沉積絕緣層，通過成膜、曝光、刻蝕工藝在所述柵線對應的位置形成有源層圖形；?

B2：通過成膜、曝光、刻蝕工藝形成數據線、分支部、源極和漏極。所述數據線與所述柵線交疊，形成寄生電容；所述分支部與相應柵線交疊，?成與所述寄生電容并聯的耐壓小于所述寄生電容的保護電容。此為五次掩膜工藝制造的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制作方法。?

一種上述薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板修復方法，包括以下步驟：?

A：定位被擊穿的保護電容位置；?

B：割斷所述保護電容相應的分支部。?