[發(fā)明專利]一種階梯型位相光柵的制作方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110279270.7 | 申請日： | 2011-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN102331594A | 公開（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 謝常青;方磊;朱效立;李冬梅;劉明 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | G02B5/18 | 分類號： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 周國城 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 階梯 位相 光柵 制作方法 | ||
1.一種階梯型位相光柵的制作方法，其特征在于，包括：
步驟1：在半導(dǎo)體基片上旋涂一層厚度為500nm的電子束光刻膠；
步驟2：對該電子束光刻膠進行光刻和顯影，形成一系列周期性的包含第0級至第五級的光刻膠臺階，該第0級至第五級光刻膠臺階相對于半導(dǎo)體基片表面的高度依次為0、100nm、200nm、300nm、400nm和500nm；
步驟3：刻蝕第0級光刻膠臺階表面露出的半導(dǎo)體基片，刻蝕深度與第一級光刻膠臺階的高度相等，然后刻蝕第一級至第五級光刻膠臺階，使得每一級光刻膠臺階的厚度均減少100nm；
步驟4：刻蝕露出的半導(dǎo)體基片，并刻蝕光刻膠臺階，使得每一級臺階的厚度均減少100nm；
步驟5：重復(fù)步驟4，直至完全去除光刻膠，形成階梯型位相光柵。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的階梯型位相光柵的制作方法，其特征在于，步驟1中所述在半導(dǎo)體基片上旋涂電子束光刻膠之前還包括：
對半導(dǎo)體基片依次用丙酮、酒精和水進行清洗，然后烘干。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的階梯型位相光柵的制作方法，其特征在于，步驟2中所述對該電子束光刻膠進行光刻和顯影，形成一系列周期性的包含第0級至第五級的光刻膠臺階，包括：
利用電子束對該電子束光刻膠進行光刻，并且電子束的劑量是周期性逐漸減小的，每個劑量的寬度相等，以此為一個周期，不斷重復(fù)，然后使用顯影液顯影，形成一系列周期性的包含第0級至第五級的高度等階的光刻膠臺階。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的階梯型位相光柵的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體基片為硅片，所述在半導(dǎo)體基片上旋涂的電子束光刻膠為ZEP-520電子束光刻膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的階梯型位相光柵的制作方法，其特征在于，步驟3中所述刻蝕第0級光刻膠臺階表面露出的半導(dǎo)體基片，是采用三氯甲烷刻蝕第0級光刻膠臺階表面露出的二氧化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的階梯型位相光柵的制作方法，其特征在于，步驟3中所述刻蝕第一級至第五級光刻膠臺階，是采用氧氣ICP刻蝕第一級至第五級光刻膠臺階。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的階梯型位相光柵的制作方法，其特征在于，步驟4中所述刻蝕露出的半導(dǎo)體基片是采用三氯甲烷進行刻蝕。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的階梯型位相光柵的制作方法，其特征在于，步驟4中所述光刻膠臺階是采用氧氣ICP刻蝕。
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