[發(fā)明專(zhuān)利]一種高靈敏度紫外探測(cè)器的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110279092.8
• 申請(qǐng)日: 2011-09-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102315330A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 付凱;李海軍;楊樂(lè)臣;劉冬;劉帆;熊敏;張寶順
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 分類(lèi)號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 南京蘇科專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 32102
• 代理人: 陳忠輝

1.一種高靈敏度紫外探測(cè)器的制備方法，其特征在于包括步驟：

Ⅰ、在藍(lán)寶石襯底上通過(guò)Si的原位摻雜生長(zhǎng)制備n型GaN摻雜層，并在n型GaN摻雜層上生長(zhǎng)寬禁帶半導(dǎo)體層；

Ⅱ、在寬禁帶半導(dǎo)體層上利用掩膜法進(jìn)行臺(tái)階刻蝕，刻蝕臺(tái)面外側(cè)的歐姆電極區(qū)域至n型GaN摻雜層；

Ⅲ、在歐姆電極區(qū)沉積Ti/Al/Ni/Au復(fù)合金屬，并退火形成歐姆接觸；

Ⅳ、在步驟Ⅱ刻蝕所得的寬禁帶半導(dǎo)體層臺(tái)面上制備刻蝕掩膜，并利用感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法刻蝕出表面柱陣列，刻蝕深度300～500nm；

Ⅴ、利用光刻套準(zhǔn)和磁控濺射法在表面柱陣列區(qū)域沉積紫外透光導(dǎo)電層，并退火形成肖特基接觸；

Ⅵ、利用光刻套準(zhǔn)和磁控濺射法分別在歐姆接觸和肖特基接觸表面制備加厚電極，并通過(guò)鈍化、引線(xiàn)及封裝后制成紫外探測(cè)器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度紫外探測(cè)器的制備方法，其特征在于：所述寬禁帶半導(dǎo)體層至少為GaN層，ZnO層，Al_xGa_1-xN層及In_xAl_1-xN層中的一種，其中0＜x＜1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度紫外探測(cè)器的制備方法，其特征在于：步驟Ⅳ中制備刻蝕掩膜的方法至少包括對(duì)Ni薄膜退火法，涂覆SiO2顆粒法，投影式光刻法，納米壓印法及電子束光刻法。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高靈敏度紫外探測(cè)器的制備方法，其特征在于：步驟Ⅴ中所述紫外透光導(dǎo)電層至少為Ga₂O₃層、Ga₂O₃/ITO層和SiO_x’N_y層，其中???????????????????????????????????????????????。