[發明專利]多重反射結構以及光電元件

有效

• 申請號: 201110279068.4
• 申請日: 2011-09-20
• 公開（公告）號: CN102854553A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 鄭琮達;朱仁佑;林鼎晸;陳怡萍;李佳翰;鄭信鴻;張櫻諭
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: G02B5/124
• 分類號: G02B5/124;H01L31/052
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種多重反射結構，包括：

基材，具有一倒角錐狀凹陷(inversed?pyramid?shaped?recess)，其中該倒角錐狀凹陷具有至少三個第一反射側面；以及

角錐體，配置于該基材上且位于該倒角錐狀凹陷內，其中該角錐體具有至少三個第二反射側面，且各該第二反射側面的法線與任一個第一反射側面的法線不在同一空間平面(plane)上。

2.如權利要求1所述的多重反射結構，其中該基材包括硅基材、塑膠基材、玻璃基材、石英基板、金屬基板。

3.如權利要求1所述的多重反射結構，其中所述第一反射側面的數量為N1個，而所述第二反射側面的數量為N2個，且N1小于N2。

4.如權利要求1所述的多重反射結構，其中各該第一反射側面為平面(flat?surface)，且各該第二反射側面為平面。

5.如權利要求1所述的多重反射結構，其中該基材具有一入光面，該倒角錐狀凹陷位于該入光面上，各該第一反射側面相對于該入光面的傾斜角為θ1，且45°＜θ1≤90°。

6.如權利要求5所述的多重反射結構，其中θ1約為54.7°。

7.如權利要求5所述的多重反射結構，其中各該第二反射面相對于該入光面的傾斜角為θ2，且45°＜θ2≤90°。

8.如權利要求7所述的多重反射結構，其中θ2約為71.4°。

9.如權利要求1所述的多重反射結構，其中該角錐體的高度小于或實質上等于該倒角錐狀凹陷的深度。

10.如權利要求9所述的多重反射結構，其中該角錐體的高度介于0.05微米至500微米，而該倒角錐狀凹陷的深度介于0.05微米至500微米。

11.如權利要求1所述的多重反射結構，其中該倒角錐狀凹陷的最大寬度介于0.1微米至1000微米。

12.如權利要求1所述的多重反射結構，其中該基材與該角錐體為相同材質。

13.一種多重反射結構，包括：

基材；

至少一第一角錐體，配置于該基材上，其中該第一角錐體具有至少三個第一反射側面；以及

至少一第二角錐體，配置于該基材上，其中該第二角錐體具有至少三個第二反射側面，各該第二反射側面的法線與任一個第一反射側面的法線不在同一空間平面上。

14.如權利要求13所述的多重反射結構，其中該基材包括硅基材、塑膠基材、玻璃基材、石英基板、金屬基板。

15.如權利要求13所述的多重反射結構，其中所述第一反射側面的數量為N1個，而所述第二反射側面的數量為N2個，且N1小于N2。

16.如權利要求13所述的多重反射結構，其中各該第一反射側面為平面，且各該第二反射側面為平面。

17.如權利要求13所述的多重反射結構，其中該基材、該第一角錐體以及該第二角錐體為相同材質。

18.一種光電元件，包括：

光電轉換層，具有多個倒角錐狀凹陷以及多個角錐體，其中各該倒角錐狀凹陷具有至少三個第一反射側面，各該角錐體分別位于對應的倒角錐狀凹陷內，該角錐體具有至少三個第二反射側面，且各該第二反射側面的法線與任一個第一反射側面的法線不在同一空間平面上；以及

多個電極，與該光電轉換層電連接。

19.如權利要求18所述的光電元件，其中所述第一反射側面的數量為N1個，而所述第二反射側面的數量為N2個，且N1小于N2。

20.如權利要求18所述的光電元件，其中各該第一反射側面為平面，且各該第二反射側面為平面。

21.如權利要求18所述的光電元件，還包括一抗反射層，覆蓋所述倒角錐狀凹陷以及所述角錐體。