[發(fā)明專利]基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110279033.0
• 申請日: 2011-09-20
• 公開（公告）號: CN102423258A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉景全;彭廣彬;柴欣;楊春生
• 申請（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號: A61B5/0215
• 分類號: A61B5/0215
• 代理公司: 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 郭國中

1.一種基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器，其特征在于由上下兩個完全對稱的結(jié)構(gòu)組成，每個對稱的結(jié)構(gòu)包括：基體、傳感器保護罩、電容、電感線圈、電容連接導(dǎo)線、電容電感連接導(dǎo)線和電感連接導(dǎo)線，其中：電容和電感線圈位于基體表面的絕緣層上，整個傳感器位于上下兩個保護罩中間；兩個電感線圈通過一個電感連接導(dǎo)線連接為一個電感，電感線圈的上面一端通過電感電容連接導(dǎo)線連接上電容的下極板，電感線圈的下面一端通過電感電容連接導(dǎo)線連接下電容的上極板，從而實現(xiàn)上下兩個電容并聯(lián)接入電容-電感回路；電容連接線分別連接上下兩電容上極板以及連接上下兩電容下極板，使得兩電容以并聯(lián)的形式接入電感-電容回路。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器，其特征是，所述的基體為雙面拋光雙面氧化的硅片，硅片下部為一圓柱形空腔，空腔頂部中心有一小中心圓柱形通氣小孔用于連接基體腔體與電容腔體以及引出連接上下兩對稱結(jié)構(gòu)電容下極板的導(dǎo)線，另外在基體兩側(cè)均有一個貫穿整個器件的縫合洞。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器，其特征是，所述電容包括：電容下極板、電容腔室以及電容上極板，其中電容兩極板均為圓環(huán)形金屬板，下極板設(shè)在基體上表面絕緣層上，并與基體中心圓柱形通氣小孔為同心圓，電容上極板設(shè)在聚合物Parylene膜上，并通過導(dǎo)線與電感線圈連接，由Parylene膜作為支撐形成兩極板之間的電容腔體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器，其特征是，所述電容上極板為與下極板大小形狀完全相同的環(huán)狀金屬板，上、下極板平行。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器，其特征是，所述電容腔體為由Parylene膜形成的一個圓柱形腔體，半徑比電容極板半徑大。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器，其特征是，所述傳感器保護罩兩側(cè)均有縫合洞，中心有一個圓柱形凹槽，凹槽底部有貫通凹槽底部圓柱形小洞。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器，其特征是，所述基體兩側(cè)均有縫合洞，所述傳感器保護罩兩側(cè)縫合洞與基體兩側(cè)縫合洞形狀、大小尺寸均一致。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器，其特征是，所述傳感器保護罩凹槽為與基體的中心圓柱形通氣小孔為同心圓的圓柱形腔體。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器，其特征是，所述傳感器保護罩貫穿凹槽底部的圓柱形小洞為均勻分布的圓柱體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS技術(shù)的無線傳輸可植入對稱結(jié)構(gòu)壓力傳感器，其特征是，所述電感線圈連接導(dǎo)線是通過三維微加工技術(shù)穿過器件基體的一個連接兩對稱線圈外端的導(dǎo)線；所述電感電容連接導(dǎo)線為通過表面加工技術(shù)沉積的金屬導(dǎo)線。