[發明專利]微光纖布拉格光柵及其制備方法無效
| 申請號： | 201110278895.1 | 申請日： | 2011-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN102354016A | 公開（公告）日： | 2012-02-15 |
| 發明（設計）人： | 童利民;劉艷鑫;孟超;肖堯 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | G02B6/02 | 分類號： | G02B6/02 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人： | 周烽 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微光 布拉格 光柵 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種微光纖布拉格光柵，其特征在于，它為在二氧化硅微光纖（2）表面加工的周期性光柵陣列結構（3），其中，所述二氧化硅微光纖（2）的直徑約為1-2微米，布拉格光柵（3）的周期長度為572nm-660nm范圍，槽深為50-200nm，周期數為800-1000左右。
2.一種權利要求1所述微光纖布拉格光柵的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
（1）將普通單模光纖通過火焰加熱固定區域拉伸的方法制備1-2微米直徑的微光纖，制備好的微光纖通過三維微調架操作放置在硅片上，微光纖兩端與普通單模光纖相連，兩端的普通單模光纖固定在樣品臺上；
（2）制備過程中，將放有微光纖的樣品臺固定在聚焦離子束加工系統的樣品座上進入腔室；通過聚焦離子束加工系統對微光纖表面加工布拉格光柵結構，布拉格光柵的周期長度設計在572nm-660nm范圍，槽深在50-200nm，周期數在800-1000即可達到較高的反射率和較好地實現布拉格光柵波長選擇效應；
（3）加工制備完成微光纖布拉格光柵結構后，將基底硅片卸下，并且將微光纖布拉格光柵結構懸空，進行測量和表征，封裝后即得微光纖布拉格光柵。
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