[發明專利]提高納米PET薄膜表面親水性的制備方法

有效

• 申請號: 201110278863.1
• 申請日: 2011-09-20
• 公開（公告）號: CN102367571A
• 公開（公告）日: 2012-03-07
• 發明（設計）人: 張波;朱葛俊;陸建軍;虞文武;沈俊;姜清;張小培
• 申請（專利權）人: 常州機電職業技術學院
• 主分類號: C23C16/509
• 分類號: C23C16/509
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 賈海芬

1.一種提高納米PET薄膜表面親水性的制備方法，其特征在于：將表面清洗后的納米PET薄膜放在射頻等離子體發生器的發生腔兩電極中間，且納米PET薄膜兩表面分別與兩電極距離控制在5～30cm，發生腔內的本底真空度控制在5～10Pa，常溫在氬氣或氬氣與氦氣的混合氣體的條件下進行輝光放電，輝光放電時的工作真空度控制在20～45Pa，放電時間控制在3～5.5min，對納米PET薄膜表面進行第一次改性，第一次改性后的納米PET薄膜表面接觸角60°～80°，表面張力可達到≥34mN/m。；將第一次改性后的納米PET薄膜表面暴露于空氣中，經24～84小時的時效處理，再將納米PET薄膜放置射頻等離子體發生器的發生腔內的兩電極中間，納米PET薄膜的兩表面分別與兩電極距離控制在20～45cm，發生腔內的本底真空度控制在1～6P，常溫在氬氣或氬氣與氦氣混合氣體的條件下進行輝光放電，輝光放電時的工作真空度控制在10～35Pa，放電時間控制在5～7.5min，對納米PET薄膜表面進行第二次改性，第二次改性后的納米PET薄膜表面接觸角30°～55°，表面張力可達到≥38mN/m。

2.根據權利要求1所述的提高納米PET薄膜表面親水性的制備方法，其特征在于：所述的射頻等離子體發生器的射頻電源頻率為13.56MHz，第一次改性時的射頻電源的工作功率為40～65W，第二次改性時的射頻電源的工作功率為20～45W。

3.根據權利要求1所述的提高納米PET薄膜表面親水性的制備方法，其特征在于：所述電極為平板電極，且電極的表面積與薄膜表面積之比為2～3∶1。

4.根據權利要求1所述的提高納米PET薄膜表面親水性的制備方法，其特征在于：所述混合氣體中氬氣與氦氣的質量比為4∶1～2.0