[發(fā)明專利]一種在半導體納米纖維中可控制備導電高分子的方法

無效

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• 申請日: 2011-09-20
• 公開（公告）號: CN102418170A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發(fā)明（設計）人: 盧曉峰;邊秀杰;王策
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: D01F8/18
• 分類號: D01F8/18;D01F11/00;D06C7/00
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 張景林;劉喜生

1.一種在半導體納米纖維中可控制備導電高分子的方法，其包括如下步驟：

A.配制半導體前驅體溶液，利用靜電紡絲技術制備半導體前驅體纖維膜；然后將該纖維膜在馬弗爐中于空氣氛圍下400～600℃焙燒2～4h，即可得到金屬氧化物基復合半導體納米纖維；

B.將步驟A獲得的半導體纖維0.04～0.4g預處理后放于真空干燥器中，并將導電高分子單體一并置于其中，室溫真空條件下反應2～4h；然后將所得產物離心分離，用水和乙醇分別洗滌，干燥后得到二氧化鈦/導電高分子復合納米纖維。

2.如權利要求1在半導體納米纖維中可控制備導電高分子的方法，其特征在于：步驟A中配制半導體前驅體溶液，是將0.1～0.5g的鈦酸丁酯、氯化錫或氯化亞錫和0.01～0.1g具有氧化性的金屬鹽溶解在2～6g乙醇和1～3g二甲基甲酰胺組成的混合溶劑中，然后加入0.2～1mL乙酸和0.4～1.0g聚乙烯基吡咯烷酮，室溫攪拌1～4h制備而成。

3.如權利要求2所述的一種半導體前軀體溶液的配制方法，其特征在于：具有氧化性的金屬鹽為乙酰丙酮氧釩、硝酸亞鈰、無水硝酸鐵、醋酸錳中的一種，其相應的金屬氧化物分別為五氧化二釩、二氧化鈰、三氧化二鐵和四氧化三錳。

4.如權利要求1在半導體納米纖維中可控制備導電高分子的方法，其特征在于：步驟B中半導體纖維的預處理，是將半導體纖維暴露在質量濃度為36％～38％的濃鹽酸或質量濃度為65％～68％的濃硝酸的氣氛下活化0.5～2h。

5.如權利要求1在半導體納米纖維中可控制備導電高分子的方法，其特征在于：步驟B的導電高分子單體為苯胺、吡咯或噻吩中的一種。