[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201110278316.3
• 申請日: 2011-09-19
• 公開（公告）號: CN102694024A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 小松香奈子;森岡純;白井浩司;高橋啟太;山田翼;清水茉莉子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導體器件，其特征在于，具備：

半導體基板；

元件區域，形成于所述半導體基板上，并形成有MOS晶體管；

元件終端區域，形成于所述半導體基板上，并形成于所述元件區域的終端部；

第1導電型的第1半導體層，將第1方向作為長度方向，從所述元件區域延伸而形成至所述元件終端區域，并且具有第1雜質濃度，在所述元件區域中，用作所述MOS晶體管的漏極區域；

第1導電型的第2半導體層，在所述第1半導體層的下層，將所述第1方向作為長度方向，從所述元件區域延伸而形成至所述元件終端區域，并且具有比所述第1雜質濃度小的第2雜質濃度；

第1導電型的第3半導體層，將所述第1方向作為長度方向，從所述元件區域延伸而在半導體基板上形成至所述元件終端區域，并且具有比所述第2雜質濃度小的第3雜質濃度，該第1導電型的第3半導體層與所述第2半導體層相接地配置，用作所述MOS晶體管的漂移層；

場氧化膜，在所述第3半導體層的表面與所述第1半導體相接地配置；

第2導電型的第4半導體層，在所述半導體基板上，將所述第1方向作為長度方向，從所述元件區域延伸而形成至所述元件終端區域，用作所述MOS晶體管的溝道區域；

第1導電型的第5半導體層，形成于所述第4半導體層的表面，用作所述MOS晶體管的源極區域；和

柵極電極，跨過所述第3半導體層及所述第4半導體層，隔著柵極絕緣膜形成在所述半導體基板的表面上，

所述元件區域中的所述第1半導體層與所述場氧化膜之間的邊界、與所述第3半導體層的所述第5半導體層側的端部之間的距離，比所述元件終端區域中的所述第1半導體層與所述場氧化膜之間的邊界、與所述第3半導體層的所述第5半導體層側的端部之間的距離小。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

將所述元件區域及所述元件終端區域分割成多個第2方向的寬度相同的矩形區域，所述第2方向與所述第1方向正交，

所述第1半導體層及所述第2半導體層配置在所述矩形區域的所述第2方向的大致中心處，

所述第5半導體層配置在所述矩形區域的所述第2方向的端部。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

所述元件終端區域中的所述第2半導體層的所述第2方向的寬度，比所述元件區域中的所述第2半導體層的所述第2方向的寬度大。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

所述元件終端區域中的所述第4半導體層的所述第2方向的寬度，比所述元件區域中的所述第4半導體層的所述第2方向的寬度小。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

設所述第1半導體層的端部周邊的所述第2半導體層的平面形狀為多邊形。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第1半導體層具有將所述第1方向設為長度方向的長方形形狀。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，

所述元件終端區域中的所述場氧化膜的沿第2方向的長度，比所述元件區域中的所述場氧化膜的沿所述第2方向的長度長，所述第2方向與所述第1方向正交。

8.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

設所述第1半導體層的端部周邊的所述第2半導體層的平面形狀為多邊形。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述元件終端區域中的所述第2半導體層的與所述第1方向正交的第2方向的寬度，比所述元件區域中的所述第2半導體層的所述第2方向的寬度大。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述元件終端區域中的所述第4半導體層的與所述第1方向正交的第2方向的寬度，比所述元件區域中的所述第4半導體層的所述第2方向的寬度小。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

設所述第1半導體層的端部周邊的所述第2半導體層的平面形狀為多邊形。