[發(fā)明專利]一種多路徑向波導(dǎo)功率合成放大器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110278124.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102412434A | 公開(公告)日: | 2012-04-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 駱新江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01P5/12 | 分類號(hào): | H01P5/12;H03F3/60;H03F3/20 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 杜軍 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 路徑 波導(dǎo) 功率 合成 放大器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于微波毫米波通訊和雷達(dá)技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種多路徑向波導(dǎo)功率合成放大器,適用于微波毫米波的功率合成放大。
背景技術(shù)
隨著現(xiàn)代無(wú)線電通信(如GPS,?WLAN,?SAR,?LMDS,?Bluetooth,?and?PCS)需求的不斷增加,射頻頻譜已經(jīng)擁擠不堪。因此,必須開發(fā)更高的頻譜資源。然而,隨著工作頻率的不斷升高,特別是進(jìn)入微波毫米波頻段后,單個(gè)固態(tài)器件的功率輸出能力卻大大降低,遠(yuǎn)不能滿足通信系統(tǒng)的要求。因此,如果在微波毫米波領(lǐng)域,仍想采用有固態(tài)通信技術(shù),就必須采用功率合成技術(shù)來(lái)提高系統(tǒng)的功率輸出能力。傳統(tǒng)的平面電路功率合成技術(shù),由于合成功率有限、合成效率低、工作帶寬窄、散熱差,等一些固有的缺陷己不再適用。要突破固態(tài)通信技術(shù)目前所遇到的這個(gè)技術(shù)瓶頸,開發(fā)優(yōu)良的功率合成器是關(guān)鍵。功率合成器最重要的指標(biāo)就是合成效率。影響合成效率最重要的因素就是插損和各路信號(hào)的幅相不一致性。一般情況下,各支路MMIC放大器芯片會(huì)采用同一廠家同一型號(hào)的單片放大器,它們的振幅和相位差異很小可忽略不計(jì)。當(dāng)不考慮各支路有源器件本身振幅和相位差異時(shí),那么產(chǎn)生振幅和相位差異的就只是無(wú)源合成網(wǎng)絡(luò)了。所以,無(wú)源合成網(wǎng)絡(luò)(功分器和合成器)的設(shè)計(jì)成為整個(gè)合成放大器設(shè)計(jì)的核心技術(shù)。如果能夠保證合成網(wǎng)絡(luò)各支路傳輸線類型、結(jié)構(gòu)和長(zhǎng)度相同,那么就可以保證各支路振幅和相位的一致。顯然,對(duì)稱結(jié)構(gòu)的合成網(wǎng)絡(luò)是保證振幅和相位一致性的理想結(jié)構(gòu)。由徑向波導(dǎo)功分器和合成器構(gòu)成的空間功率合成網(wǎng)絡(luò)就是一種高度對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。另外,因徑向波導(dǎo)合成網(wǎng)絡(luò)屬波導(dǎo)傳輸線類型,所以除具有振幅相位一致性優(yōu)點(diǎn)外,還具有插入損耗小,功率容量大和工作帶寬寬等優(yōu)點(diǎn)。因此它具有其它傳統(tǒng)功分/合成電路(如微帶?Wilkson功分器、分支線耦合器等)無(wú)法比擬的優(yōu)點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了突破固態(tài)通訊技術(shù)和雷達(dá)技術(shù),在微波毫米波等高頻率領(lǐng)域,所遇到的單個(gè)固態(tài)功率器件無(wú)法滿足系統(tǒng)要求的技術(shù)瓶頸,提供一種多路徑向波導(dǎo)功率合成放大器。
本發(fā)明包括徑向波導(dǎo)功分器、徑向波導(dǎo)功率合成器和放大器芯片陣列。
所述的徑向波導(dǎo)功分器和徑向波導(dǎo)功率合成器的結(jié)構(gòu)完全相同,具體是:包括側(cè)面金屬壁、上金屬壁、下金屬壁;側(cè)面金屬壁為圓柱形的金屬筒,上金屬壁和下金屬壁為直徑與側(cè)面金屬壁外徑相等的圓形金屬片,上金屬壁和下金屬壁分別固定在側(cè)面金屬壁的兩端,上金屬壁的內(nèi)表面、下金屬壁的內(nèi)表面和側(cè)面金屬壁的內(nèi)側(cè)面圍合成圓柱形的徑向波導(dǎo)腔;上金屬壁外表面的中心固定設(shè)置有SMA接頭,上金屬壁內(nèi)表面的中心設(shè)置有主同軸探針,主同軸探針穿過(guò)上金屬壁與SMA接頭的內(nèi)導(dǎo)體固定連接,所述的主同軸探針為半徑呈階梯變化的圓柱形金屬桿,其中位于徑向波導(dǎo)腔內(nèi)的端部為金屬桿最大直徑的部分;下金屬壁上開有多個(gè)直徑相同的通孔,每個(gè)通孔內(nèi)嵌入直徑相同的圓柱形的介質(zhì)塊,每個(gè)介質(zhì)塊與下金屬壁圓心的距離相同,多個(gè)介質(zhì)塊的中心點(diǎn)圍合成正多邊形;與介質(zhì)塊數(shù)量相同的多個(gè)支路同軸探針穿過(guò)對(duì)應(yīng)的介質(zhì)塊中心設(shè)置,所述的多個(gè)支路同軸探針規(guī)格和形狀相同,均為半徑呈階梯變化的圓柱形金屬桿,其中位于徑向波導(dǎo)腔內(nèi)的端部為金屬桿最大直徑的部分;所述的主同軸探針和支路同軸探針均與徑向波導(dǎo)腔的軸線平行,且主同軸探針位于徑向波導(dǎo)腔的軸線上。主同軸探針和支路同軸探針采用半徑呈階梯變化的圓柱形,可以起到阻抗變換的作用,可有效地展寬工作帶寬,降低反射損耗。
所述的放大器芯片陣列包括一個(gè)正多邊形的金屬柱,金屬柱的側(cè)面數(shù)量與支路同軸探針的數(shù)量相同,金屬柱的每個(gè)側(cè)面的中央位置固定設(shè)置有一個(gè)固態(tài)功率放大器芯片;固態(tài)功率放大器芯片采用成熟的現(xiàn)有產(chǎn)品,直接購(gòu)買即可。
徑向波導(dǎo)功分器和徑向波導(dǎo)功率合成器分別固定在放大器芯片陣列的兩端,徑向波導(dǎo)功分器的每個(gè)支路同軸探針的最小直徑端與放大器芯片陣列上相應(yīng)側(cè)邊上的固態(tài)功率放大器芯片輸入端的微帶線相連接,徑向波導(dǎo)功率合成器上的每個(gè)支路同軸探針的最小直徑端與放大器芯片陣列相應(yīng)側(cè)邊上的固態(tài)功率放大器芯片的輸出端的微帶線相連接。
本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)和效果:
1、本發(fā)明的結(jié)構(gòu)屬于同軸和徑向波導(dǎo)結(jié)構(gòu),因此工作帶寬較寬,功率容量大;
2、本發(fā)明具有較高的軸對(duì)稱性,因此各支路幅相一致性很高,所以合成效率也很高;
3、被合成的放大器芯片個(gè)數(shù),只要體積允許是不受限制的,既可為奇數(shù)也可為偶數(shù),而且個(gè)數(shù)的增加對(duì)合成效率幾乎沒(méi)有影響;
4、各路信號(hào)之間的距離可以調(diào)節(jié)能夠保證有足夠空間放置放大器芯片;
5、有較好的熱沉,便于散熱;
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