[發(fā)明專利]一種基片集成裂縫波導(dǎo)功率合成放大器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110278123.8 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102394576A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-03-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 駱新江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H03F3/20 | 分類號(hào): | H03F3/20;H01P5/12 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200 | 代理人: | 杜軍 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成 裂縫 波導(dǎo) 功率 合成 放大器 | ||
1.一種基片集成裂縫波導(dǎo)功率合成放大器,包括疊放的基片集成裂縫波導(dǎo)電路板和微帶線陣列電路板,基片集成裂縫波導(dǎo)電路板與微帶線陣列電路板通過(guò)螺絲固定連接,其特征在于:
所述的基片集成裂縫波導(dǎo)電路板為矩形,中間層為波導(dǎo)介質(zhì)層,波導(dǎo)介質(zhì)層的兩面覆有金屬層,下金屬層完全覆蓋波導(dǎo)介質(zhì)層的下表面;上金屬層覆蓋波導(dǎo)介質(zhì)層的上表面,上金屬層一個(gè)對(duì)角線上的兩個(gè)對(duì)角處開(kāi)有形狀相同的漸變微帶線窗口;所述的漸變微帶線窗口整體為矩形,其相鄰的兩邊為波導(dǎo)介質(zhì)層的邊沿,漸變微帶線窗口內(nèi)的上金屬層為漸變微帶線;所述的漸變微帶線的形狀以微帶線中心軸對(duì)稱,微帶線中心軸與波導(dǎo)介質(zhì)層的長(zhǎng)邊平行,漸變微帶線的最窄處位于波導(dǎo)介質(zhì)層的短邊邊沿;波導(dǎo)介質(zhì)層的上表面除兩個(gè)漸變微帶線窗口外的其他部分被上金屬層覆蓋;?
基片集成裂縫波導(dǎo)電路板上開(kāi)有兩組金屬化通孔組,每組金屬化通孔組的金屬化通孔呈U字形排列,包括兩排橫向平行排列的金屬化通孔和一排縱向排列的金屬化通孔,一組金屬化通孔組中的兩排橫向排列的金屬化通孔以微帶線中心軸對(duì)稱,漸變微帶線的最寬處位于對(duì)應(yīng)的一組金屬化通孔組的U字形開(kāi)口端;每個(gè)金屬化通孔貫穿上金屬層、波導(dǎo)介質(zhì)層、下金屬層;
上金屬層上開(kāi)有兩排波導(dǎo)裂縫組,每組波導(dǎo)裂縫組包括位于與微帶線中心軸平行的一條直線上的多個(gè)寬度相同的長(zhǎng)條形的波導(dǎo)裂縫,相鄰的兩個(gè)波導(dǎo)裂縫的中心點(diǎn)之間的距離為工作波導(dǎo)波長(zhǎng)的一半,所述的波導(dǎo)裂縫貫穿上金屬層;兩排波導(dǎo)裂縫組分別設(shè)置在兩組金屬化通孔組的U字形包圍的空間內(nèi),每排波導(dǎo)裂縫組中與縱向排列的金屬化通孔最近的波導(dǎo)裂縫的中心點(diǎn)到縱向排列的各金屬化通孔的中心連線的距離為工作波導(dǎo)波長(zhǎng)的四分之一;
上金屬層上在每組金屬化通孔組的U字形包圍的空間內(nèi)開(kāi)有調(diào)諧金屬化通孔組,每組調(diào)諧金屬化通孔組中的調(diào)諧金屬化通孔個(gè)數(shù)與每組波導(dǎo)裂縫組中的波導(dǎo)裂縫個(gè)數(shù)相同,每個(gè)調(diào)諧金屬化通孔貫穿上金屬層、波導(dǎo)介質(zhì)層、下金屬層;
所述的上金屬層整體以中心點(diǎn)對(duì)稱;
所述的微帶線陣列電路板包括微帶介質(zhì)層和微帶金屬層,微帶金屬層完全覆蓋微帶介質(zhì)層的下表面;微帶金屬層與基片集成裂縫波導(dǎo)電路板的上金屬層相接;
微帶線陣列電路板的形狀為矩形的一個(gè)對(duì)角線上的兩個(gè)對(duì)角分別切除兩個(gè)矩形塊后所形成的整體呈Z字形的形狀,切除的矩形塊與漸變微帶線矩形窗口等長(zhǎng)等寬,微帶線陣列電路板的直線邊沿與基片集成裂縫波導(dǎo)電路板中的上金屬層的直線邊沿重合;
微帶金屬層開(kāi)有兩排微帶裂縫組,構(gòu)成微帶裂縫組的各個(gè)微帶裂縫位于構(gòu)成波導(dǎo)裂縫組的各個(gè)波導(dǎo)裂縫的正投影上方,各個(gè)微帶裂縫與對(duì)應(yīng)的波導(dǎo)裂縫形狀和大小相同;所述的微帶裂縫貫穿微帶金屬層;
微帶介質(zhì)層的上表面設(shè)置有一排與構(gòu)成一組微帶裂縫組的微帶裂縫數(shù)量相同的固態(tài)功率放大器芯片;微帶介質(zhì)層的上表面對(duì)應(yīng)每個(gè)微帶裂縫中心點(diǎn)的位置設(shè)置有金屬條,金屬條跨過(guò)微帶裂縫設(shè)置,且與微帶裂縫垂直;每個(gè)固態(tài)功率放大器芯片的輸入端和輸出端分別與相對(duì)的兩個(gè)金屬條連接。
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