[發(fā)明專利]大功率氮化鋁陶瓷基板100W-9dB衰減片

無(wú)效

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• 申請(qǐng)日: 2011-09-16
• 公開（公告）號(hào): CN102361132A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郝敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司
• 主分類號(hào): H01P1/22
• 分類號(hào): H01P1/22
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片，特別涉及一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W-9dB衰減片。?

背景技術(shù)

目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來(lái)吸收通信部件中反向輸入功率，大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率，而無(wú)法對(duì)基站的工作狀況做實(shí)時(shí)的監(jiān)控，當(dāng)基站工作發(fā)生故障時(shí)無(wú)法及時(shí)地做出判斷，并對(duì)設(shè)備沒(méi)有保護(hù)作用。?

衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率，而且能夠抽取通信部件中部分信號(hào)，對(duì)基站進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控，對(duì)設(shè)備有保護(hù)作用，但目前國(guó)內(nèi)100W-9dB的氮化鋁陶瓷衰減片，其衰減精度不僅大多只能做到1G頻率以內(nèi)，少數(shù)能做到2G，且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制，市場(chǎng)對(duì)衰減精度的要求比較高，，當(dāng)衰減精度達(dá)不到要求時(shí)或VSWR達(dá)不到要求時(shí)，輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。當(dāng)頻段高于2G時(shí)，國(guó)內(nèi)的衰減片，其衰減精度更將滿足不了要求。?

我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件，不能對(duì)兩端電路有影響，也就是說(shuō)，與兩端電路都是匹配的。目前市場(chǎng)上的衰減片當(dāng)使用頻段高于2G時(shí)，其衰減精度達(dá)不到要求，回波損耗變大，滿足不了2G以上的頻段應(yīng)用要求。出現(xiàn)上述問(wèn)題主要是因?yàn)閲?guó)內(nèi)100W-9dB衰減片的設(shè)計(jì)原因，并且抗高低溫沖擊性能差。當(dāng)完成高低溫沖擊實(shí)驗(yàn)后，阻抗和衰減精度偏出了實(shí)際要求的范?圍，這樣就使的衰減精度滿足不了要求。?

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種衰減精度高，能在3G頻段內(nèi)使用大功率氮化鋁陶瓷基板100W-9dB衰減片。?

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：?

一種大功率氮化鋁陶瓷基板100W-9dB衰減片，其包括一氮化鋁基板，所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層，所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線，所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路，所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。?

優(yōu)選的，所述銀漿導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。?

優(yōu)選的，所述導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。?

優(yōu)選的，所述衰減電路采用π型電路結(jié)構(gòu)。?

優(yōu)選的，所述銀漿導(dǎo)線與所述導(dǎo)體層通過(guò)低溫銀漿連接。?

上述技術(shù)方案具有如下有益效果：該大功率氮化鋁陶瓷基板100W-9dB衰減片增大了電阻面積，這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加，使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求。同時(shí)避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對(duì)電阻淬傷，避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn)，改善了電路的設(shè)計(jì)，使得衰減精度達(dá)到了3G以內(nèi)9±0.8dB，駐波滿足市場(chǎng)要求，從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于3G網(wǎng)絡(luò)。?

上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的具體實(shí)施方式由以下實(shí)施例?及其附圖詳細(xì)給出。?

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例正面的結(jié)構(gòu)示意圖。?

圖2為本發(fā)明實(shí)施例背面的結(jié)構(gòu)示意圖。?

圖3為本發(fā)明實(shí)施例正面與背面連接的結(jié)構(gòu)示意圖。?

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。?

如圖1、2所示，該大功率氮化鋁陶瓷基板100W-9dB衰減片包括一氮化鋁基板1，氮化鋁基板1的背面印刷有導(dǎo)體層5，導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板1的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導(dǎo)線2，銀漿導(dǎo)線2將電阻R1、R2、R3、R4、R5連接起來(lái)形成一π型結(jié)構(gòu)的衰減電路，電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保護(hù)膜3，玻璃保護(hù)膜3用于保護(hù)電阻R1、R2、R3、R4、R5。在整個(gè)電路即銀漿導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4，黑色保護(hù)膜4可對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行包括，黑色保護(hù)膜4上還可印刷品牌和型號(hào)。如圖3所示，銀漿導(dǎo)線2與導(dǎo)體層5通過(guò)接地銀漿6連接，這樣整個(gè)電路即可導(dǎo)通。?

該大功率氮化鋁陶瓷基板100W-9dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50±1.5Ω，輸出端和接地端的阻抗為50±1.5Ω。信號(hào)從輸入端進(jìn)入衰減片，經(jīng)過(guò)電阻R1，R2，R5，R3，R4對(duì)功率的逐步吸收，使輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。?