[發明專利]一種硅料的鑄錠方法

有效

• 申請號: 201110278002.3
• 申請日: 2011-09-19
• 公開（公告）號: CN102296354A
• 公開（公告）日: 2011-12-28
• 發明（設計）人: 黃林;吳彬輝;張澤興;張小東;張理輝
• 申請（專利權）人: 江西旭陽雷迪高科技股份有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115
• 代理人: 施秀瑾

1.一種硅料的鑄錠方法，其特征在于，包括

（1）配料，按冶金級硅與太陽能級硅的重量比4：8備料，其中太陽能級硅中包含2-5%總重量的細碎硅料；

（2）布料，將細碎太陽能級硅鋪設在坩堝底部，將冶金級硅鋪設在細碎硅料上面和坩堝側面，形成“凹”形，在坩堝中間鋪設剩余太陽能級硅料，并根據目標電阻率加入摻雜劑；

（3）加熱，將裝有上述原料的坩堝置于鑄錠爐中進行抽真空加熱，分階段升溫使上部和四周的硅料熔化，至熔化后期延長熔化時間，使底部硅料全部熔化，然后進入長晶階段；

（4）長晶，在長晶階段，分階段降溫，使晶體由下至上生長，待晶體長成后，經退火冷卻得到硅錠。

2.根椐權利要求1所述的一種硅料的鑄錠方法，其特征在于，所述太陽能級硅中的細碎硅料的最大尺寸為20mm。

3.根椐權利要求1所述的一種硅料的鑄錠方法，其特征在于，所述的冶金級硅為長條形狀，最少兩個面平整，可穩定與底面及頂部冶金級硅相接觸，底層與上層的冶金級硅之間的布置角度為90度，共計鋪設三層冶金級硅，冶金級硅之間和冶金級硅與坩堝之間留有2～5cm間隙。

4.根椐權利要求1所述的一種硅料的鑄錠方法，其特征在于，所述的加熱工藝中硅料熔化溫度為1410～1600℃。

5.根椐權利要求1所述的一種硅料的鑄錠方法，其特征在于，所述的長晶工藝，先快速降溫到1410～1500℃，同時將隔熱籠以選定速度打開，底部散熱實現定向凝固，控制長晶速率1.0～1.2cm/h，使晶體由下至上穩定生長。

6.根椐權利要求1所述的一種硅料的鑄錠方法，其特征在于，所述的摻雜劑為硼、稼或磷，摻雜后的目標電阻率為1.0～3.0Ω·cm。