[發明專利]一種基于矩形波導雙層多路功率合成放大器

無效

• 申請號: 201110277790.4
• 申請日: 2011-09-19
• 公開（公告）號: CN102386471A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 駱新江
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H01P5/12
• 分類號: H01P5/12;H03F3/60
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.一種基于矩形波導雙層多路功率合成放大器，包括功分器、合成器和放大器芯片陣列，兩個放大器芯片陣列平行夾在功分器與合成器之間，其特征在于：

所述的放大器芯片陣列包括一金屬條和一組固定在金屬條上的固態功率放大器芯片，且各固態功率放大器芯片沿金屬條的中心線排列；功分器和合成器的結構相同，具體是：?

包括形狀和大小相同的兩個長方體金屬塊，分別為上金屬塊和下金屬塊，上金屬塊的底面開有底面矩形波導槽，底面矩形波導槽的寬度為工作波長對應的標準矩形波導的寬度、深度為工作波長對應的標準矩形波導的長度的一半；所述的底面矩形波導槽包括主路波導槽、分路波導槽和支路波導槽，主路波導槽與金屬條垂直，主路波導槽的一端開口于上金屬塊一個側壁和底面交匯處的中間位置；主路波導槽的另一端與兩條形狀相同的分路波導槽的一端連通，分路波導槽為L形，與主路波導槽連接部分的分路波導槽垂直于主路波導槽；每條分路波導槽的另一端與對應的各支路波導槽的中心連通，與支路波導槽連接部分的分路波導槽垂直于支路波導槽；對應每條支路波導槽的兩個端面位置插入同軸線，同軸線的一端伸入支路波導槽內，且同軸線的軸線與相鄰支路波導槽端面的距離為工作波長的四分之一；下金屬塊的頂面開有與底面矩形波導槽位置和形狀相同的頂面矩形波導槽，且按照上金屬塊所述方法設置有同軸線，上金屬塊和下金屬塊固定連接后，底面矩形波導槽和頂面矩形波導槽合成矩形波導腔；

功分器、放大器芯片陣列和合成器固定連接，每個固態功率放大器芯片的輸入端通過微帶線與功分器上對應的同軸線的另一端連接，每個固態功率放大器芯片的輸出端與合成器上對應的同軸線的另一端連接。