[發明專利]半導體元件及該半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 201110277760.3
• 申請日: 2011-09-19
• 公開（公告）號: CN102412298A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 小野升太郎;齋藤涉;谷內俊治;渡邊美穗;山下浩明
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/331
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 王成坤;胡建新

1.一種半導體元件，其特征在于，包括：

第一導電型的第一半導體層；

第二半導體層，設置在所述第一半導體層上，且包含在沿著所述第一半導體層的主面的方向上交替設置的第一導電型的第一柱及第二導電型的第二柱；

第一控制電極，隔著第一絕緣膜而填埋在從所述第二半導體層的表面向所述第一半導體的方向設置的溝槽的內部；

第二控制電極，隔著第二絕緣膜而設置在所述第二半導體層上，且與所述第一控制電極相連；

第二導電型的第一半導體區域，設置在除由所述第二控制電極覆蓋的部分以外的所述第二半導體層的表面；

第一導電型的第二半導體區域，與由所述第二控制電極覆蓋的所述第二半導體層的表面相隔開，且選擇性地設置在所述第一半導體區域的表面；

第二導電型的第三半導體區域，與所述第二半導體區域相鄰接且選擇性地設置在所述第一半導體區域的表面；

第一主電極，與所述第一半導體層電連接；及

第二主電極，與所述第二半導體區域及第三半導體區域電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：

所述第一柱及所述第二柱設置成在沿著所述第一半導體層的所述主面的方向上延伸的條紋狀；

所述第一控制電極在所述第一柱及所述第二柱的延伸方向上設置成條紋狀。

3.根據權利要求2所述的半導體元件，其特征在于：

所述第二控制電極設置成與所述第一柱及所述第二柱交叉的條紋狀。

4.根據權利要求3所述的半導體元件，其特征在于：

在所述第二半導體層設置著多個所述第一控制電極；

多個所述第二控制電極將相鄰的所述第一控制電極之間連成梯子狀。

5.根據權利要求3所述的半導體元件，其特征在于：

在所述第二半導體層設置著多個所述第一控制電極；

多個所述第二控制電極將相鄰的所述第一控制電極之間連成梯子狀；

在與所述第一控制電極的延伸方向正交的方向上，將所述第二控制電極交替地移位而配置。

6.根據權利要求2所述的半導體元件，其特征在于：

所述第一控制電極在所述第一柱上沿著該第一柱的延伸方向設置。

7.根據權利要求2所述的半導體元件，其特征在于：

所述第二控制電極設置成與多個所述第一柱及多個所述第二柱交叉的條紋狀。

8.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：

在由所述第二控制電極覆蓋的所述第二半導體層中包含所述第二柱的一部分。

9.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：

所述第一柱及所述第二柱設置成在沿著所述第一半導體層的所述主面的方向上延伸的條紋狀；

所述第一控制電極設置成與所述第一柱及所述第二柱交叉的條紋狀；

所述第二控制電極在所述第一柱及所述第二柱的延伸方向上設置成條紋狀。

10.根據權利要求9所述的半導體元件，其特征在于：

所述第二控制電極將設置在所述第二半導體層的多個所述第一控制電極中的相鄰的所述第一控制電極連成梯子狀。

11.根據權利要求10所述的半導體元件，其特征在于：

所述第二控制電極設置在所述第二柱上。

12.根據權利要求1所述的半導體元件，其特征在于：

多個所述第一柱及多個所述第二柱設置成在沿著所述第一半導體層的所述主面的方向上延伸的條紋狀；

所述第一控制電極設置成在所述第一柱與所述第二柱的邊界上延伸的條紋狀；

所述第二控制電極在所述第一柱上將相鄰的所述第一控制電極相連而設置。

13.根據權利要求12所述的半導體元件，其特征在于：

將所述第一控制電極相連的多個所述第二控制電極被設為梯子狀。