[發(fā)明專(zhuān)利]發(fā)光二極管及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110277572.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103000783A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳濱全;林新強(qiáng) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 展晶科技(深圳)有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/48 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管,包括一基座、設(shè)于該基座上的一第一電極及一第二電極,以及與該第一電極及第二電極電連接的一發(fā)光芯片,其特征在于:該第一電極包括一第一主體部及自該第一主體部向外延伸的若干第一支撐電極,該第二電極包括一第二主體部及自該第二主體部向外延伸的若干第二支撐電極,所述第一支撐電極及第二支撐電極均外露出于該基座的外側(cè),至少一第一支撐電極及一第二支撐電極外露于該基座的相對(duì)側(cè),且至少一第一支撐電極及一第二支撐電極外露于該基座的同側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于:該基座包括一內(nèi)底面及一外底面,該第一電極的第一主體部及該第二電極的第二主體部均貫穿該內(nèi)底面及外底面。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管,其特征在于:該第一電極的第一支撐電極及該第二電極的第二支撐電極貫穿該內(nèi)底面及外底面。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管,其特征在于:該基座上設(shè)有一凹槽,該內(nèi)底面位于該凹槽的底部,該發(fā)光芯片位于該凹槽中,該基座還包括若干外側(cè)壁及若干內(nèi)側(cè)壁,所述內(nèi)側(cè)壁圍繞該凹槽且自該內(nèi)底面的邊緣傾斜向外延伸,所述第一支撐電極及第二支撐電極貫穿所述外側(cè)壁且外露于所述外側(cè)壁。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管,其特征在于:該第一電極的第一主體部的面積大于該第二電極的第二主體部的面積,該發(fā)光芯片固定于該第一主體部上,該發(fā)光芯片的兩極分別與該第一主體部及第二主體部電連接。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于:至少有一第一支撐電極于該基座的外側(cè)形成一第一外部電極,至少有一第二支撐電極于該基座的外側(cè)形成一第二外部電極,該第一外部電極的面積大于該第一支撐電極的截面積,該第二外部電極的面積大于該第二支撐電極的截面積。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管,其特征在于:該基座的材料選自環(huán)氧樹(shù)脂,硅樹(shù)脂或聚鄰苯二甲酰胺中的一種。
8.一種發(fā)光二極管的制造方法,包括步驟:
提供一導(dǎo)電的基板,于該基板上形成間隔設(shè)置的若干第一電極及若干第二電,該第一電極包括一第一主體部及自該第一主體部向外延伸的若干第一支撐電極,該第二電極包括一第二主體部及自該第二主體部向外延伸的若干第二支撐電極,相鄰的一第一電極與一第二電極的至少一第一支撐電極與一第二支撐電極沿相反的方向延伸,及至少一第一支撐電極及一第二支撐電極沿相同的方向延伸;
在該基板上形成一基座層;
提供若干發(fā)光芯片,并使每一發(fā)光芯片的兩極分別與相鄰的一第一電極及一第二電極電極連接;
于每一發(fā)光芯片上形成一封裝層,該封裝層覆蓋該發(fā)光芯片及與該發(fā)光芯片連接的一第一電極及第二電極;
對(duì)該基座層及基板進(jìn)行切割,使該基座層成為若干個(gè)基座,且每一基座上形成一獨(dú)立的所述第一電極及一獨(dú)立的所述第二電極,所述第一電極及第二電極的第一支撐電極及第二支撐電極均外露出于該基座的外側(cè),每一基座上的第一電極的至少一第一支撐電極與該基座上的第二電極的至少一第二支撐電極外露于該基座的相對(duì)兩側(cè),及每一基座上的第一電極的至少一第一支撐電極與該基座上的第二電極的至少一第二支撐電極外露于該基座的同側(cè)。
9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:所述第一電極及第二電極分別組成若干第一電極列及若干第二電列,所述第一電極列與第二電極列的列數(shù)相等且第一電極列與第二電極列間隔交替排列,每一第一電極列中的第一電極與相鄰的一第二電極列中的第二電極一一間隔相對(duì),每一第一電極列中的每一第一電極的第一支撐電極與相鄰的另一第二電極列中對(duì)應(yīng)的一第二電極的一第二支撐電極相連,每一第一電極列中相鄰兩第一電極的第一主體部通過(guò)該相鄰兩第一電極的第一支撐電極相連,每一第二電極列中相鄰兩第二電極的第二主體部通過(guò)該相鄰兩第二電極的第二支撐電極相連。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管的制造方法,其特征在于:該切割包括橫向切割及縱向切割,該橫向切割沿垂直于所述第一電極列或第二電極列的方向切割,該縱向切割沿平行于所述第一電極列或第二電極列的方向切割,橫向切割使每一第一電極列中相鄰兩第一電極之間的第一支撐電極斷開(kāi)以及使每一第二電極列中相鄰兩第二電極之間的第二支撐電極斷開(kāi),縱向切割使每一第一電極與相鄰且間隔相對(duì)的一第二電極形成兩兩相鄰的電極對(duì),且使該第一電極的第一支撐電極與相鄰的另一第二電極的第二支撐電極之間斷開(kāi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
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H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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