[發明專利]半導體器件和讀出半導體器件的數據的方法有效
| 申請號: | 201110277504.4 | 申請日: | 2011-09-19 |
| 公開(公告)號: | CN102543153A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 金鎬正;申在光;崔賢植;丁亨洙 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G11C7/22 | 分類號: | G11C7/22;G11C7/08;G11C7/18 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 蔡軍紅 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 讀出 數據 方法 | ||
1.一種半導體器件,包括:
存儲單元陣列,包括位于至少一條位線和至少一條字線相交的區域中的至少一個存儲單元;和
讀出單元,被配置為讀出存儲在該至少一個存儲單元中的數據,
其中該讀出單元包括:
連接控制單元,被配置為根據具有可變電壓電平的控制信號和該至少一條位線的電壓電平來控制該至少一條位線和讀出線之間的連接;和
讀出放大單元,被配置為比較該讀出線的電壓與參考電壓并且讀出存儲在該至少一個存儲單元中的數據。
2.如權利要求1所述的半導體器件,其中該讀出單元還包括:預充電單元,其根據預充電使能信號將該讀出線預充電到第一預充電電壓。
3.如權利要求2所述的半導體器件,其中該控制信號在該預充電使能信號被激活的預充電時間段中具有第一電壓電平,并且在過渡使能信號被激活的過渡時間段中具有小于第一電壓電平的第二電壓電平。
4.如權利要求3所述的半導體器件,其中該至少一個存儲單元是能夠存儲多電平數據的多電平單元(MLC),以及
其中改變該第二電壓電平以對應于該多電平數據當中的要被讀出的數據的電平。
5.如權利要求3所述的半導體器件,其中該至少一個存儲單元是能夠存儲分別與多個電阻電平對應的多電平數據的多電平電阻性的存儲單元,以及
其中改變該第二電壓電平以與該多電平數據當中的要被讀出的數據的電阻電平成正比。
6.如權利要求3所述的半導體器件,其中該連接控制單元包括:箝位單元,其連接在該至少一條位線和讀出線之間并且根據控制信號將該至少一條位線箝位到恒定電壓電平。
7.如權利要求6所述的半導體器件,其中該箝位單元包括:開關器件,其響應于該控制信號導通或截止,從而連接該至少一條位線和讀出線。
8.如權利要求7所述的半導體器件,其中該連接控制單元在該預充電時間段中連接該至少一條位線和該讀出線,由此該至少一條位線被預充電到與所述第一電壓電平和所述開關器件的閾值電壓之間的差對應的第二預充電電壓。
9.如權利要求7所述的半導體器件,其中如果在該過渡時間段中該至少一條位線的電壓電平小于所述第二電壓電平和所述開關器件的閾值電壓之間的差,則該連接控制單元連接該至少一條位線和該讀出線。
10.如權利要求9所述的半導體器件,其中,當該至少一條位線和該讀出線連接時,該讀出線的電壓電平減小到該至少一條位線的電壓電平,以及
其中該讀出放大單元將該至少一個存儲單元感測為接通(ON)單元。
11.如權利要求7所述的半導體器件,其中如果在該過渡時間段中該至少一條位線的電壓電平大于所述第二電壓電平和所述開關器件的閾值電壓之間的差,則該連接控制單元不連接該至少一條位線和該讀出線。
12.如權利要求11所述的半導體器件,其中,當該至少一條位線和該讀出線不連接時,該讀出線的電壓電平保持在所述第一預充電電壓,以及
其中該讀出放大單元將該至少一個存儲單元讀出為截止(OFF)單元。
13.如權利要求7所述的半導體器件,其中該連接控制單元連接到該開關器件的每個端子,并且還包括:至少兩個放電器件,用于在放電使能信號被激活的放電時間段中將該至少一條位線的電壓和該讀出線的電壓放電。
14.如權利要求7所述的半導體器件,其中該連接控制單元還包括:
溫度感測單元,被配置為感測該半導體器件的溫度變化以便根據環境溫度的變化補償該開關器件的閾值電壓的變化;和
控制信號提供單元,被配置為根據感測的溫度變化調節所述控制信號的電壓電平,并且向所述開關器件提供其電壓電平被調節了的控制信號。
15.如權利要求1所述的半導體器件,其中該半導體器件在沒有提供參考電流的參考單元的情況下讀出存儲在該至少一個存儲單元中的數據。
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