[發明專利]用于P型氮化物發光裝置的超薄歐姆接觸及其形成方法有效
| 申請號： | 201110276667.0 | 申請日： | 2005-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN102324455B | 公開（公告）日： | 2016-10-12 |
| 發明（設計）人： | M·拉費托;J·巴拉坦;K·哈貝雷恩;M·伯格曼;D·埃默森;J·伊貝特森;T·李 | 申請（專利權）人： | 克里公司 |
| 主分類號： | H01L33/42 | 分類號： | H01L33/42;H01L33/36 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 高為;王忠忠 |
| 地址： | 美國北卡*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 氮化物 發光 裝置 超薄 歐姆 接觸 及其 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體基發光裝置，包括：
n型半導體襯底；
所述襯底上的n型GaN外延層；
所述n型GaN外延層上的p型GaN外延層；
所述p型GaN外延層上的金屬歐姆接觸，所述金屬歐姆接觸具有小于的平均厚度和小于10-3ohm-cm2的比接觸電阻率；以及所述金屬歐姆接觸上的焊盤。
2.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述平均厚度為到
3.如權利要求1所述的發光裝置，其中通過對所述金屬歐姆接觸的俄歇分析測量，所述金屬歐姆接觸覆蓋小于13％到小于47％的p型氮化物層。
4.如權利要求1所述的發光裝置，其中在350nm的測量波長下，所述金屬歐姆接觸的標準化透射率高于92％。
5.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述平均厚度為到
6.一種倒裝半導體基發光裝置，包括：
p型氮化物層；
所述p型氮化物層上的金屬歐姆接觸p電極，所述金屬歐姆接觸p電極平均厚度小于以及
所述金屬歐姆接觸p電極上的反射體。
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