[發(fā)明專利]一種防止霧化的光罩板及其制造方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110276460.3 | 申請(qǐng)日： | 2011-09-16 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102323715A | 公開（公告）日： | 2012-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王省蓮;劉波波;李建婷;劉大為;李偉霖 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安中為光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G03F1/48 | 分類號(hào)： | G03F1/48;C23C14/08 |
| 代理公司： | 西安智大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710065 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 防止 霧化 光罩板 及其 制造 方法 | ||
1.一種防止霧化的光罩板，從內(nèi)到外依次包括防光罩層、粘膠層、感光乳膠層以及保護(hù)膜，其特征在于：所述光罩板還包括在所述保護(hù)膜的外面鍍一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩板，其特征在于：所述抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的材料為稀有金屬化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光罩板，其特征在于：所述稀有金屬化合物為In2O3:Sn、In2O3:Mo、SnO2:Sb、SnO2:F、ZnO:Al或者CdO:In。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光罩板，其特征在于：抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的厚度為50-100nm。
5.一種權(quán)利要求1所述防止霧化的光罩板的制造方法，包括如下步驟：
步驟1：清洗貼好保護(hù)膜的光罩板：首先將貼好保護(hù)膜的光罩板用硫酸∶雙氧水∶水的體積比為5∶1∶1的混合溶液，在50-80℃下浸泡5-10分鐘，然后用去離子水沖洗甩干，隨后用HCl∶H2O的體積比為1∶5的酸溶液浸泡5-10分鐘，再用去離子水沖洗甩干；
步驟2：鍍抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層：將清洗干凈的貼好保護(hù)膜的光罩板通過物理氣相沉積法沉積一層抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層；
步驟3：退火處理：將鍍有抗腐蝕的透明納米等離子保護(hù)層的光罩板在300-500℃退火處理25-35min。
6.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于：步驟2所述的物理氣相沉積法的沉積條件為：鍍率：10-15nm/min；功率：15-28KW；氧氣流量：0.5-0.7sccm；溫度250-280℃；電子束電流50-70mA。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
