[發明專利]太陽能模塊無效
| 申請號: | 201110276441.0 | 申請日: | 2011-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN103000703A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 王秋富 | 申請(專利權)人: | 杜邦太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/042;E04D13/18 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國香港新界白石角香港科學園*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能 模塊 | ||
技術領域
本發明是有關一種太陽能模塊(solar?module),且特別是有關一種透光型的太陽能模塊。
背景技術
已知具有各種透光結構的太陽能模塊。圖1繪示已知的一種透光型太陽能模塊110使用時的示意圖。如圖所示,設置于大樓外墻的太陽能模塊110包含第一透光基板112、第一電極層113、光電轉換層114、第二電極層116與第二透光基板118。其中,第一電極層113、光電轉換層114與第二電極層116構成光電轉換元件,它們層疊于第一透光基板112與第二透光基板118之間。入射光線140從室外120進入第一透光基板112后,太陽能模塊110可通過光電轉換層114吸收光能,且第二電極層116可以將入射光線140未被光電轉換層114吸收的光線反射至光電轉換層114再次吸收。另一方面,第一透光基板112與第二透光基板118之間具有多個透光孔119可讓部分入射光線140進入室內130并穿出第二透光基板118形成出射光線150。如此一來,位于室內130的使用者可以通過透光孔119看到室外120的景象。
圖2繪示圖1的已知太陽能模塊110在另一環境使用時的示意圖。如圖所示,當室內130具有光源160時,第二透光基板118會有入射光線162進入,且入射光線162至第二電極層116后會被反射而形成反射光線164穿出第二透光基板118。如此一來,使用者會于第二透光基板118同時看到出射光線150與反射光線164,當出射光線150與反射光線164的光功率對比越低時(例如室內130較亮),使用者會于第二透光基板118看到較清楚的室內130鏡像與模糊的室外120景象,甚至如照鏡子一般而失去設置透光孔119的意義。
也就是說,反射光線164的光功率大小會影響使用者觀看室外120景象的清晰度。
發明內容
本發明的一目的為提供一種太陽能模塊,讓室內的光線對室外景象的清晰度影響降低,而發揮透光結構的功能。
根據本發明一實施方式,一種太陽能模塊包含依次層疊的第一透光基板、光電轉換元件和第二透光基板,所述太陽能模塊具有透光結構,所述光電轉換元件的外側或所述第二透光基板的外側設有用于吸收光線的吸收層。
在本發明一實施方式中,其中所述光電轉換元件包括依次層疊的第一電極層、光電轉換層和第二電極層。
在本發明一實施方式中,其中所述太陽能模塊為透光型薄膜太陽能模塊,所述透光結構為穿透所述光電轉換元件的多個透光孔或多排透光溝槽,所述透光結構穿透該吸收層。
在本發明一實施方式中,其中所述太陽能模塊為透光型晶體硅太陽能模塊,所述光電轉換元件包括多個太陽電池片,所述透光結構由各太陽電池片之間的間隙構成。
在本發明一實施方式中,其中所述吸收層的材料為氮化鈦、氮化鈮或黑硅。
在本發明一實施方式中,其中所述第二透光基板的外側形成有抗反射層,所述抗反射層為透光抗反射涂層。
在本發明一實施方式中,其中所述抗反射層的材料為MgF2、SiO2、Si3N4、ZnS或TiO2。
在本發明一實施方式中,其中所述第二透光基板的外側設置的吸收層上形成有與所述透光結構對應的透光部。
在本發明一實施方式中,其中所述吸收層的材料為氮化鈦(titanium?nitride)、氮化鈮(niobium?nitride)或黑硅(black?silicon)。
在本發明一實施方式中,所述光電轉換層為單晶硅光電轉換層、多晶硅光電轉換層、結合非晶硅和微晶硅的多結光電轉換層或結合非晶硅和非晶硅鍺(a-Si/a-SiGe)的多結光電轉換層。
在本發明上述實施方式中,第一透光基板靠近室外,且第二透光基板靠近室內。由于太陽能模塊具有透光結構,因此位于室內的使用者可看到室外的景象。當室內具有光源時,第二透光基板雖會有入射光線進入,但太陽能模塊的吸收層位于光電轉換元件與第二透光基板之間或第二透光基板外表面上,因此可以降低第二透光基板入射光線的反射率。也就是說,第二透光基板入射光線僅由第二透光基板反射而不會由光電轉換元件反射。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





