[發明專利]發光二極管的制造方法

無效

• 申請號: 201110276423.2
• 申請日: 2011-09-13
• 公開（公告）號: CN102916091A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 周佳賢;周建吉
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;B23K26/36
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;呂俊清

1.一種發光二極管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

于該基板的一上表面形成一外延層；

形成至少一發光二極管高臺；

對該基板的該上表面進行一激光切割工藝或一干蝕刻工藝，以在所述至少一發光二極管高臺周圍形成溝槽；

對所述至少一發光二極管高臺進行一側邊蝕刻工藝；以及

對該基板的一下表面進行一隱形激光切割工藝。

2.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，在對該基板的該上表面進行該激光切割工藝或該干蝕刻工藝的步驟中，該激光切割工藝的切割深度小于等于該外延層的厚度。

3.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，在對該基板的該上表面進行該激光切割工藝或該干蝕刻工藝的步驟中，該干蝕刻工藝的蝕刻深度小于等于該外延層的厚度。

4.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，在進行該側邊蝕刻工藝的步驟中，該側邊蝕刻工藝用以清除激光畫線時所產生的粉塵。

5.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，在進行該側邊蝕刻工藝的步驟中，該側邊蝕刻工藝用以在所述至少一發光二極管高臺的側邊形成斜面。

6.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，該激光切割工藝與該隱形激光切割工藝的切割位置相對應。

7.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，該基板為藍寶石基板。

8.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，各該發光二極管高臺至少包括一N型半導體層、一有源層與一P型半導體層。

9.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，還包括：

對該基板進行一劈裂工藝以形成多個發光二極管晶粒。

10.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，該激光切割工藝或干蝕刻工藝的切割深度根據該外延層厚度調整，且小于等于10微米。

11.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，該隱形激光切割工藝的深度為40微米至60微米。

12.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，在該側邊蝕刻工藝使所述至少一發光二極管高臺的側邊形成斜面，所述至少一發光二極管高臺的斜面與該基板之間的夾角為α，α小于90度。

13.如權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于，在進行該側邊蝕刻工藝后，還包括：

形成一電流阻擋層；

形成一電流擴散層；以及

在對應的發光二極管高臺上形成一第一導電電極與一第二導電電極。