[發明專利]沉積納米碳氮膜的多壁碳納米管其制備方法與應用

無效

• 申請號: 201110276381.2
• 申請日: 2011-09-19
• 公開（公告）號: CN102418068A
• 公開（公告）日: 2012-04-18
• 發明（設計）人: 李德軍;趙夢鯉;劉孟寅;董磊;岳玉琛
• 申請（專利權）人: 天津師范大學
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/46;A61L27/30;A61L27/02
• 代理公司: 天津市杰盈專利代理有限公司 12207
• 代理人: 朱紅星

1.沉積納米碳氮膜的多壁碳納米管，它選用將多壁碳納米管噴涂在預先燒制碳膜的二氧化硅基片上，然后使用離子束輔助沉積系統在此噴涂后的碳納米管上再沉積碳氮膜；其特征在于沉積碳氮膜的本底真空度：?1.9×10^-4-2.0×10^-4?Pa；工作氣壓：1.2×10^-2-1.3×10^-2Pa；濺射離子源工藝參數：放電電壓70?V，加速電壓200?V，濺射能量1.05?keV,?濺射束流5~25?mA；輔助能量200?eV,輔助束流5-25?mA，N?流量：4.0?sccm，濺射時間30?min；所制備材料的N、C原子比的比例為0.20~0.27:1。

2.權利要求1所述沉積納米碳氮膜的多壁碳納米管，其中的多壁碳納米管為粉末，可噴涂在以二氧化硅片或碳片為襯底的基片上。

3.沉積納米碳氮膜的多壁碳納米管的制備方法，其特征是：利用高真空離子束輔助沉積系統，用純度為99.9%的石墨靶，本底真空1.9×10^-4?Pa-2.0×10^-4?Pa，沉積過程中濺射氣體選用純度均為99.99%Ar和N₂，質量流量均為4.0?sccm；沉積過程中總的工作氣壓保持1.2×10^-2?-1.3×10^-2?Pa之間；濺射能量為1.05?keV，N離子輔助能量為200eV；通過控制輔助槍的束流5-25?mA獲得N、C原子比0.20~0.27:1的碳氮膜，濺射時間30?min。

4.權利要求1所述沉積納米碳氮膜的多壁碳納米管在提高多壁碳納米管材料親水性方面的應用。

5.權利要求1所述沉積納米碳氮膜的多壁碳納米管作為具有細胞相容性的組織支架材料方面的應用。