[發明專利]一種經絲網印刷后返工硅片的處理方法無效
| 申請號： | 201110276340.3 | 申請日： | 2011-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN102306683A | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發明（設計）人： | 余俊滸;李振;段慰;李德云;童鵬飛;徐新毅 | 申請（專利權）人： | 浙江嘉毅能源科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州天正專利事務所有限公司 33201 | 代理人： | 舒良 |
| 地址： | 324300 浙江省開化縣*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絲網 印刷 返工 硅片 處理 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種經絲網印刷后返工硅片的處理方法。
背景技術
目前，現有的太陽能電池在絲網印刷過程中會產生諸多返工硅片，傳統的處理方法采用松油醇加酒精手工清洗，或者使用酒精做溶劑超聲波清洗，這兩種方法會使部分鋁漿殘留在硅片表面，最終造成電池片暗電流偏高，開路電壓偏低，從而降低了電池片生產的合格率和轉換效率。
發明內容
本發明的目的是提供能減少硅片表面鋁殘留，從而提高硅片的太陽能轉換效率的一種經絲網印刷后返工硅片的處理方法。
本發明采取的技術方案是：一種經絲網印刷后返工硅片的處理方法，其特征在于先采用酒精加松油醇將硅片清洗干凈，然后將硅片放在質量百分比濃度在3～8％的鹽酸中浸泡1～3小時，之后，使用去離子水將硅片表面殘留的鹽酸去除，最后，將帶水的硅片放入酒精中浸泡脫水。
采用本發明方法，可以減少絲網印刷返工片處理過程中硅片表面鋁殘留的問題，減少不合格品的產生，提高硅片的太陽能轉換效率。
具體實施方式
下面結合具體的實施例對本發明作進一步說明。
該一種經絲網印刷后返工硅片的處理方法包括下列步驟：
一、先采用酒精加松油醇，手工將硅片的正面、背面清洗干凈。
二、硅片放在質量百分比濃度在3～8％的鹽酸中浸泡1～3小時取出。
三、使用去離子水沖洗硅片，將硅片表面殘留的鹽酸去除。
四、將帶水的硅片放入酒精中浸泡20秒以上，使硅片表面脫水。
采用上述步驟，經實際測試結果表明，可以完全將硅片表面鋁殘留去除，達到減少不合格品的產生，提高硅片的太陽能轉換效率的目的。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
