[發(fā)明專利]NMOS晶體管形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110276316.X | 申請日： | 2011-09-16 |
| 公開（公告）號： | CN103000501A | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 甘正浩;馮軍宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | nmos 晶體管 形成 方法 | ||
1.一種NMOS晶體管形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底表面形成氧化層，在所述氧化層表面形成多晶硅層；
對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一離子注入，所述注入的離子為氟離子和氮離子；
對所述多晶硅層和氧化層進(jìn)行刻蝕，分別形成柵電極和柵氧化層，在所述柵氧化層和柵電極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成輕摻雜源/漏區(qū)；
在所述柵氧化層和柵電極的側(cè)壁表面形成側(cè)墻，在所述側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成重?fù)诫s源/漏區(qū)，形成NMOS晶體管。
2.如權(quán)利要求1所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述第一離子注入為對所述多晶硅層進(jìn)行氟離子、氮離子注入，使得所述氟離子、氮離子貫穿多晶硅層、氧化硅層，直到注入到所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述第一離子注入為在形成氧化層之前，直接對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行氟離子、氮離子注入。
4.如權(quán)利要求1所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述第一離子注入包括兩個(gè)步驟：直接對半導(dǎo)體襯底進(jìn)行氟離子和氮離子注入；對多晶硅層進(jìn)行氟離子和氮離子注入，使得所述氟離子、氮離子貫穿多晶硅層、氧化硅層，直到注入到所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的氟離子和氮離子的反應(yīng)源物質(zhì)為NF3。
6.如權(quán)利要求5所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述NF3離子注入的劑量范圍為1E13atom/cm2～1E17atom/cm2，離子注入的能量范圍為1KeV～100KeV。
7.如權(quán)利要求1所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，還包括，在對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一離子注入之后，對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第一退火處理。
8.如權(quán)利要求7所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述第一退火處理的溫度范圍為600℃～1000℃。
9.如權(quán)利要求1所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，還包括，在形成所述輕摻雜源/漏區(qū)之后，對所述柵電極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行第二離子注入，所述注入的離子為氟離子和氮離子。
10.如權(quán)利要求9所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述第二離子注入的氟離子和氮離子的反應(yīng)源物質(zhì)為NF3。
11.如權(quán)利要求10所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述NF3離子注入的劑量范圍為1E13atom/cm2～1E17atom/cm2，離子注入的能量范圍為1KeV～100KeV。
12.如權(quán)利要求9所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，還包括，在對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第二離子注入之后，對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第二退火處理。
13.如權(quán)利要求12所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述第二退火處理的溫度范圍為600℃～1000℃。
14.如權(quán)利要求1所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，還包括，在形成所述重?fù)诫s源/漏區(qū)后，對所述側(cè)墻兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)進(jìn)行第三離子注入，所述注入的離子為氟離子和氮離子。
15.如權(quán)利要求14所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述第三離子注入的氟離子和氮離子的反應(yīng)源物質(zhì)為NF3。
16.如權(quán)利要求15所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述NF3離子注入的劑量范圍為1E13atom/cm2～1E17atom/cm2，離子注入的能量范圍為1KeV～100KeV。
17.如權(quán)利要求14所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，還包括，在對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第三離子注入之后，對所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行第三退火處理。
18.如權(quán)利要求17所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，所述第三退火處理的溫度范圍為600℃～1000℃。
19.如權(quán)利要求1所述NMOS晶體管形成方法，其特征在于，還包括，在所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成P型阱區(qū)。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
