[發(fā)明專利]切割/芯片接合薄膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110276306.6
• 申請日: 2011-09-13
• 公開（公告）號: CN102399505A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 天野康弘;盛田美希;木村雄大
• 申請（專利權(quán)）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;C09J9/02;H01L21/68
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 王海川;穆德駿

1.一種切割/芯片接合薄膜，其中，在切割薄膜上設(shè)置有熱固型芯片接合薄膜，其特征在于，

所述熱固型芯片接合薄膜含有導(dǎo)電性粒子，

所述熱固型芯片接合薄膜的體積電阻率為1×10^-6Ω·cm以上且1×10^-3Ω·cm以下，并且，所述熱固型芯片接合薄膜熱固化前在-20℃下的拉伸儲能彈性模量為0.1GPa～10GPa。

2.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述導(dǎo)電性粒子為平均粒徑不同的兩種以上導(dǎo)電性粒子，

兩種以上的所述導(dǎo)電性粒子各自的平均粒徑為0.01μm以上且10μm以下。

3.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

相對于所述熱固型芯片接合薄膜的有機(jī)成分100重量份，所述導(dǎo)電性粒子的含量為20～90重量份。

4.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，在下述方法中使用：

對半導(dǎo)體晶片照射激光形成改性區(qū)域，之后，將所述半導(dǎo)體晶片粘貼到該切割/芯片接合薄膜上，對該切割/芯片接合薄膜施加拉伸張力，由此將所述半導(dǎo)體晶片在所述改性區(qū)域斷裂，并且將構(gòu)成該切割/芯片接合薄膜的熱固型芯片接合薄膜在與所述改性區(qū)域?qū)?yīng)的位置斷裂，從而形成帶有芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片，從所述切割薄膜上將所得到的所述帶有芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片剝離，并通過該芯片接合薄膜將剝離后的所述帶有芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片固定到被粘物上的方法。

5.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，在下述方法中使用：

在半導(dǎo)體晶片的表面形成溝，然后，通過進(jìn)行背面磨削使所述溝露出，將該切割/芯片接合薄膜粘貼到所述溝露出的所述半導(dǎo)體晶片的表面上，對該切割/芯片接合薄膜施加拉伸張力，由此將構(gòu)成該切割/芯片接合薄膜的所述熱固型芯片接合薄膜在與所述溝對應(yīng)的位置斷裂，從而形成帶有芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片，從所述切割薄膜上將所得到的所述帶有芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片剝離，并通過該芯片接合薄膜將剝離后的所述帶有芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片固定到被粘物上的方法。

6.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，

所述導(dǎo)電性粒子為選自由鎳粒子、銅粒子、銀粒子、鋁粒子、金粒子、不銹鋼粒子、炭黑、碳納米管、用金屬鍍敷金屬的表面而得到的金屬粒子、以及表面被金屬包覆的樹脂粒子組成的組中的至少一種以上粒子。

7.如權(quán)利要求1所述的切割/芯片接合薄膜，其特征在于，所述熱固型芯片接合薄膜含有作為熱塑性樹脂的丙烯酸類樹脂。