[發明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請號: 201110276112.6
• 申請日: 2011-09-16
• 公開（公告）號: CN102693756A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 品川勇一
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11C16/20
• 分類號: G11C16/20
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

1.一種半導體存儲裝置，其特征在于，包括：

排列了多個存儲單元的存儲單元陣列；

預先存儲成為選擇候補的多個工作參數的存儲部；

選擇部，根據來自用戶的變更指示，選擇上述多個工作參數中要使用于使上述存儲單元工作的工作參數；

啟動處理部，根據來自用戶的啟動指示，啟動電源的同時，從上述存儲部讀出由上述選擇部選擇的工作參數，設定成可使用狀態；

工作控制部，使用由上述啟動處理部設定成可使用狀態的工作參數，使上述存儲單元工作。

2.權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

還包括：存儲上述工作控制部要使用的工作參數的寄存器，

上述啟動處理部通過將上述選擇部選擇的工作參數從上述存儲部讀出并在上述寄存器存儲，將上述選擇部選擇的工作參數設定成可使用狀態。

3.權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

上述多個工作參數以與上述多個存儲單元的各自的隨時間劣化狀態的多個等級對應的方式預先確定。

4.權利要求3所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

上述多個工作參數具有與上述多個等級對應地從初始工作參數移動的值。

5.權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

上述選擇部判斷來自用戶的上述變更指示的內容是否涉及可靠性提高，根據判斷的結果，選擇上述多個工作參數中要使用于使上述存儲單元工作的工作參數。

6.權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

上述選擇部判斷改寫次數/刪除次數是否在閾值以上，根據判斷的結果，選擇上述多個工作參數中要使用于使上述存儲單元工作的工作參數。

7.權利要求6所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

上述選擇部在上述改寫次數/上述刪除次數不足上述閾值的場合，選擇以可靠性比初始工作參數提高的方式預先確定的第1工作參數，上述改寫次數/上述刪除次數在上述閾值以上的場合，選擇以可靠性比上述第1工作參數提高的方式預先確定的第2工作參數。

8.權利要求1所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

還包括：確定部，在包含可靠性優先的第1工作模式和性能優先的第2工作模式的多個工作模式中，確定與來自用戶的上述變更指示相應的工作模式，

上述選擇部根據上述確定部確定的工作模式，選擇要使用于使上述存儲單元工作的工作參數。

9.權利要求8所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

上述確定部在來自用戶的上述變更指示的內容涉及可靠性提高的場合，將工作模式確定為上述第1工作模式，在來自用戶的上述變更指示的內容涉及性能提高的場合，將工作模式確定為上述第2工作模式，

上述選擇部在上述確定部確定為上述第1工作模式或上述第2工作模式的場合，設定與上述確定部確定的工作模式相應的閾值的值，判斷改寫次數/刪除次數是否在上述設定的閾值的值以上，根據判斷的結果，選擇上述多個工作參數中要使用于使上述存儲單元工作的工作參數。

10.權利要求9所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

上述選擇部在上述確定部確定為上述第1工作模式的場合，將比標準值小的第1值設定為上述閾值，在上述確定部確定為上述第2工作模式的場合，將比上述標準值大的第2值設定為上述閾值。

11.權利要求10所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

上述確定部在來自用戶的上述變更指示的內容為根據改寫次數/刪除次數而提高可靠性的場合，將工作模式確定為第3工作模式，

上述選擇部在上述確定部確定為上述第3工作模式的場合，將上述標準值設定為上述閾值。

12.權利要求9或權利要求11所述的半導體存儲裝置，其特征在于，

上述選擇部在上述改寫次數/上述刪除次數不足上述設定的閾值的值的場合，選擇以性能比初始工作參數提高的方式預先確定的第1工作參數，在上述改寫次數/上述刪除次數為上述設定的閾值的值以上的場合，選擇以可靠性比上述初始工作參數提高的方式預先確定的第2工作參數。